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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0293549 (2016-10-14) |
등록번호 | US-9929120 (2018-03-27) |
우선권정보 | JP-2014-173454 (2014-08-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 9 |
A semiconductor device includes an opening and a redistribution layer gutter which are formed integrally in a polyimide resin film of a single layer. A redistribution layer is formed in the polyimide resin film of a single layer. A wiring material (silver) including the redistribution layer can be i
1. A semiconductor device comprising: a semiconductor substrate;a pad above the semiconductor substrate;a surface protective film covering the pad;a first opening in the surface protective film and exposing a part of the surface of the pad;a protective insulating film over the surface protective fil
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