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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0078066 (2016-03-23) |
등록번호 | US-9953869 (2018-04-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 24 |
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1. A semiconductor interconnect structure comprising: an electrically conductive structure that extends from a first interconnect level into a second interconnect level that is below the first interconnect level, the electrically conductive structure having a first portion in the first interconnect
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