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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0348729 (2016-11-10) |
등록번호 | US-9966307 (2018-05-08) |
우선권정보 | CN-2016 1 0073030 (2016-02-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 3 |
A method for manufacturing a semiconductor device includes providing a substrate, performing a nucleation process on the substrate to form a nucleation layer of a metal, performing a first deposition process at a first temperature on the nucleation layer to form a first layer of the metal, etching b
1. A method for manufacturing a semiconductor device comprising: providing a substrate;performing a nucleation process on the substrate to form a metal nucleation layer;performing a first deposition process at a first temperature on the metal nucleation layer to form a first metal layer;etching back
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