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특허 상세정보

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Interlayer composite substrates

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C23C-014/35    C23C-014/00    C23C-014/02    C23C-014/34    F01D-005/28    C23C-014/06   
출원번호 US-0679377 (2012-11-16)
등록번호 US-9970100 (2018-05-15)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Knors, Christopher J.
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 4
초록

An interlayer configured for a composite substrate surface, the interlayer having a higher concentration of at least one first chemical element at the interface of the substrate surface and the innermost interlayer surface and a higher concentration of at least one second chemical element at the outermost interlayer surface is disclosed. Methods of forming the interlayer and providing functional properties to said composites are disclosed.

대표
청구항
▼

1. A method comprising the steps of (i) depositing, on a carbon fiber reinforced polymer composite substrate, by a chemical and/or physical vapor phase deposition or a plasma-enhanced vapor phase deposition, an interlayer of substantially silicon oxy-carbide, the interlayer having a substrate-proximal layer and a surface-proximal layer, the interlayer having a concentration gradient of carbon and oxygen associated with the silicon oxy-carbide from the substrate-proximal layer and the surface-proximal layer;(ii) performing a subsequent kinetic energy coat...

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Prochazka Svante (Ballston Lake NY). Amorphous silicon oxycarbide coated silicon carbide or carbon fibers. USP1997025599624.
  2. Wickersham Charles E. (Columbus OH) Foster Ellis L. (Powell OH granted to U.S. Department of Energy under the provisions of 42 U.S.C. 2182). Method of depositing a high-emissivity layer. USP1983114414085.
  3. Kanazawa Hidehiro,JPX ; Otani Minoru,JPX ; Ando Kenji,JPX ; Suzuki Yasuyuki,JPX ; Biro Ryuji,JPX. Process for thin film formation by sputtering. USP2001046217719.
  4. Talpaert, Xavier; Simonet, Michel; Azzopardi, Marie-Jose; Durandeau, Anne. Transparent substrate provided with a silicon derivative layer. USP2004116818309.

IPC 상위 출원인