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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0219682 (2014-03-19) |
등록번호 | US-10030304 (2018-07-24) |
우선권정보 | JP-2013-056306 (2013-03-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
An ion implantation apparatus in which a fluorine compound gas is used as a source gas of an ion source, includes a vacuum chamber into which the source gas is introduced; an introduction passage connected to the vacuum chamber and configured to introduce into the vacuum chamber a cleaning gas conta
1. An ion implantation apparatus in which a fluorine compound gas is used as a source gas of an ion source, comprising: a vacuum chamber into which the source gas is introduced;an introduction passage connected to the vacuum chamber and configured to introduce into the vacuum chamber a cleaning gas
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