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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0691403 (2015-04-20) |
등록번호 | US-10084099 (2018-09-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 125 |
One embodiment of the present invention provides a solar cell. The solar cell includes a substrate, a first heavily doped crystalline-Si (c-Si) layer situated above the substrate, a lightly doped c-Si layer situated above the first heavily doped crystalline-Si layer, a second heavily doped c-Si laye
1. A solar cell, comprising: a metallurgical-grade silicon substrate;a first doped crystalline-silicon layer that is epitaxially formed on the metallurgical-grade silicon substrate;a lightly doped crystalline-silicon base layer epitaxially formed on the first doped crystalline-silicon layer, wherein
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