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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0819086 (2017-11-21) |
등록번호 | US-10090171 (2018-10-02) |
우선권정보 | JP-2009-156422 (2009-06-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 87 |
An object is to manufacture a highly reliable semiconductor device including a thin film transistor with stable electric characteristics. In a method for manufacturing a semiconductor device including a thin film transistor in which an oxide semiconductor film is used for a semiconductor layer inclu
1. A semiconductor device comprising: a first conductive film over a substrate;a first insulating film over the first conductive film;an oxide semiconductor film over the first insulating film;a second conductive film and a third conductive film over the oxide semiconductor film;an oxide insulating
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