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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0686480 (2017-08-25) |
등록번호 | US-10099917 (2018-10-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 224 |
After forming a microelectromechanical-system (MEMS) resonator within a silicon-on-insulator (SOI) wafer, a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) cover wafer is bonded to the SOI wafer via one or more eutectic solder bonds that implement respective paths of electrical conductivity between t
1. A method of fabricating a microelectromechanical system (MEMS) device, the method comprising: forming a MEMS resonator within a semiconductor layer of a semiconductor-on-insulator (SOI) wafer;bonding a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) cover wafer to the SOI wafer via one or more eut
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