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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0251433 (2016-08-30) |
등록번호 | US-10128189 (2018-11-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 1 |
A method of fabricating an integrated circuit is disclosed. The method comprises defining a multi-layer semiconductor device structure on a substrate using standard cells, defining an input port on the M0OD or PO layer of the semiconductor device structure and an output port on the M0OD layer, and d
1. A method of fabricating an integrated circuit comprising: defining a multi-layer semiconductor device structure comprising a plurality of standard cells arranged on a substrate using a fabrication technology having a metal-0 oxide diffusion (M0OD) layer and a polysilicon (PO) layer;defining an in
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