[특허]Method of fabricating silicon carbide powder

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C01B-032/956 C01B-031/36 C04B-035/565 C04B-035/626 B82Y-030/00
출원번호	US-0368199 (2012-12-13)
등록번호	US-10138127 (2018-11-27)
우선권정보	KR-10-2011-0139614 (2011-12-21); KR-10-2012-0045840 (2012-04-30)
국제출원번호	PCT/KR2012/010866 (2012-12-13)
국제공개번호	WO2013/094934 (2013-06-27)
발명자 / 주소	Shin, Dong Geun
출원인 / 주소	LG INNOTEK CO., LTD.
대리인 / 주소	Saliwanchik, Lloyd & Eisenchenk
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 19

초록 ▼

A method of fabricating silicon carbide powder according to the first embodiment includes preparing a silicon carbide molded member by molding a silicon carbide material; preparing a silicon carbide agglomerate member by pulverizing the silicon carbide molded member; and preparing the silicon carbide powder by heat-treating the silicon carbide agglomerate member. A method of fabricating silicon carbide powder according to the second embodiment includes preparing a primary material having a first grain size and including silicon carbide; preparing a secondary material having a second grain size by agglomerating the primary material; and preparing the silicon carbide powder by heat-treating the secondary material.

대표청구항 ▼

1. A method of fabricating silicon carbide powder, the method comprising: preparing a primary material having a first grain size and including silicon carbide particles;forming a secondary material having a second grain size by mixing the primary material with an additive and by spray-drying the mixture; andforming the silicon carbide powder having a third grain size by heat-treating the secondary material,wherein, in the preparing the primary material, the silicon carbide particles are formed by mixing a solid-phase silicon source with a carbon source and heat-treating the mixture at a temperature in a range of 1300° C. to 1400° C. for 30 minutes to 7 hours,wherein a mixing ratio of carbon to silicon is in a range of 1.3 to 1.8,wherein the first grain size is in a range of 0.01 μm to 2 μm,wherein, in the forming the second material, the second material is formed by agglomerating the primary material,wherein the second grain size is in a range of 0.1 μm to 5 μm,wherein, in the heat-treating of the secondary material, the secondary material is heat-treated at a temperature in a range of 1800° C. to 2200° C. for 30 minutes to 20 hours, andwherein, in the forming the silicon carbide powder, the third grain size increases as the temperature of the heat-treating the second material increases. 2. The method of claim 1, wherein the first grain size is in a range of 0.01 μm to about 0.5 μm, and the second grain size is in a range of 0.1 μm to 2 μm. 3. The method of claim 2, wherein, in the heat-treating of the secondary material, the secondary material is heat-treated at a temperature in a range of 1850° C. to 1950° C., and the third grain size of the silicon carbide powder generated by heat-treating the secondary material is in a range of 50 μm to 70 μm. 4. The method of claim 2, wherein, in the heat-treating of the secondary material, the secondary material is heat-treated at a temperature in a range of 1950° C. to 2050° C., and the third grain size of the silicon carbide powder generated by heat-treating the secondary material is in a range of 225 μm to 275 μm. 5. The method of claim 2, wherein, in the heat-treating of the secondary material, the secondary material is heat-treated at a temperature in a range of 2050° C. to 2150° C., and the third grain size of the silicon carbide powder generated by heat-treating the secondary material is in a range of 325 μm to 375 μm.

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