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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0422666 (2017-02-02) |
등록번호 | US-10138545 (2018-11-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
The present invention provides a process for the removal of contaminants on a spent sputtering target used in Plasma Vapor Deposition by the steps of grit abrasion, organic solvent cleaning, and being subjected to an electric field in an acidic bath including a surfactant, and followed by subsequent
1. A method for the removal of chromium contaminants on a ruthenium sputtering target used in plasma vapor deposition including the steps of subjecting the ruthenium sputtering target to grit abrasion followed by an organic solvent cleaning to result in a pre-cleaned target,subjecting the pre-cleane
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