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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0362654 (2016-11-28) |
등록번호 | US-10163817 (2018-12-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
A semiconductor device structure is provided. The semiconductor device structure includes a substrate. The semiconductor device structure includes a conductive structure over the substrate. The semiconductor device structure includes first metal oxide fibers over the conductive structure. The semico
1. A semiconductor device structure, comprising: a substrate;a conductive structure over the substrate;a dielectric layer over the substrate;a plurality of metal oxide fibers extending from the conductive structure and penetrating the dielectric layer;a second dielectric layer over the dielectric la
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