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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0494473 (2017-04-22) |
등록번호 | US-10163953 (2018-12-25) |
우선권정보 | JP-2015-024059 (2015-02-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
A P-type well is defined by an isolation region formed in a semiconductor substrate. A pixel region and a ground region are defined in the P-type well. In the pixel region, a pixel transistor region and a photodiode region having a photodiode formed therein are defined. An antireflection film is for
1. A method of manufacturing an image pickup device, the method comprising the steps of: defining an element formation region having a first conductivity type in a semiconductor substrate, the element formation region including a pixel region and a ground region each having the first conductivity ty
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