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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0111013 (2014-11-21) |
등록번호 | US-10184191 (2019-01-22) |
우선권정보 | JP-2014-005043 (2014-01-15) |
국제출원번호 | PCT/JP2014/080849 (2014-11-21) |
국제공개번호 | WO2015/107772 (2015-07-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
Provided is a method for manufacturing a silicon carbide single crystal capable of easily separating a silicon carbide single crystal from a pedestal. The method includes the step of fixing a seed substrate to a pedestal with a stress buffer layer being interposed therebetween, the step of growing a
1. A method for manufacturing a silicon carbide single crystal, comprising the steps of: fixing a seed substrate to a pedestal with a stress buffer layer being interposed therebetween;growing a silicon carbide single crystal on the seed substrate;separating the silicon carbide single crystal from th
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