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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0874793 (2018-01-18) |
등록번호 | US-10199235 (2019-02-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 42 |
Methods and techniques for fabricating metal interconnects, lines, or vias by subtractive etching and liner deposition methods are provided. Methods involve depositing a blanket copper layer, removing regions of the blanket copper layer to form a pattern, treating the patterned metal, depositing a c
1. A method comprising: providing a semiconductor substrate comprising a plurality of patterned metal features formed by performing subtractive etching by plasma-based dry etch on a blanket layer of metal deposited over a first material;treating the plurality of patterned metal features;selectively
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