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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0494836 (2012-06-12) |
등록번호 | US-10211310 (2019-02-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 87 |
Provided are methods and systems for providing oxygen doped silicon carbide. A layer of oxygen doped silicon carbide can be provided under process conditions that employ silicon-containing precursors that have one or more silicon-hydrogen bonds and/or silicon-silicon bonds. The silicon-containing pr
1. A method of depositing oxygen doped silicon carbide, the method comprising: providing a substrate;flowing one or more silicon-containing precursors onto the substrate, wherein each of the one or more silicon-containing precursors have (i) one or more silicon-hydrogen bonds and/or silicon-silicon
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