$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Swirled flow chemical vapor deposition 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-016/455
  • C23C-016/04
  • C23C-016/44
  • C23C-016/458
  • C23C-016/46
  • C23C-016/52
  • C23C-016/24
  • F01D-005/28
출원번호 US-0677378 (2017-08-15)
등록번호 US-10227696 (2019-03-12)
발명자 / 주소
  • Cha, Chong M.
  • Liliedahl, David
  • Kidd, Richard
  • Galligher, Ross
  • Doan, Nicholas
출원인 / 주소
  • Rolls-Royce Corporation
대리인 / 주소
    Shumaker & Sieffert, P.A.
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 7

초록

A method includes heating, using a heat source, a reactor vessel including a substrate in a radially central core region of the reactor vessel and introducing, using at least one reactor inlet in an outer wall of the reactor vessel, a precursor gas to the reactor vessel. The at least one reactor inl

대표청구항

1. A method comprising: heating, using a heat source, a reactor vessel including a substrate in a radially central core region of the reactor vessel, wherein the substrate comprises a porous preform;introducing, using at least one reactor inlet in an outer wall of the reactor vessel, a precursor gas

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Suda Toshikazu (Yokohama JPX), Apparatus for semiconductor process including photo-excitation process.
  2. Garn, Dennis T.; Lee, Jerry S.; Rudolph, James W., Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace.
  3. Van Ngo Minh ; Besser Paul R. ; Buynoski Matthew ; Caffall John ; MacCrae Nick ; Huang Richard J. ; Tran Khanh, Method for reducing stress-induced voids for 0.25m.mu. and smaller semiconductor chip technology by annealing interconnect lines and using low bias voltage and low interlayer dielectric deposition ra.
  4. Hegermann, Rainer; Goetz, Philipp, Method for the chemical vapor infiltration of refractive substances.
  5. Stewart Jeffrey (690-D Avenida Sevilla Laguna Hills CA 92653), Parylene deposition chamber.
  6. Lackey ; Jr. Walter J. (Oak Ridge TN) Caputo Anthony J. (Knoxville TN), Process for the preparation of fiber-reinforced ceramic composites by chemical vapor deposition.
  7. Subramanian,Suresh; Steibel,James Dale; Carper,Douglas Melton, SiC/SiC composites incorporating uncoated fibers to improve interlaminar strength.
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로