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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0542039 (2015-12-23) |
등록번호 | US-10260163 (2019-04-16) |
우선권정보 | DE-10 2015 100 062 (2015-01-06) |
국제출원번호 | PCT/EP2015/081185 (2015-12-23) |
국제공개번호 | WO2016/110418 (2016-07-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 3 |
The disclosure relates to a device for continuously producing qualitatively high-grade crystalline silicon carbide, in particular in the form of nanocrystalline fiber.
1. Device for continuously producing crystalline silicon carbide, comprising: a reactor; anda collection container at least partially spatially separated from the reactor, whereinthe reactor comprises a supply means for supplying a precursor mixture,a substrate for depositing crystalline silicon car
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