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NTIS 바로가기등록일자 | 2011-02-25 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=4c748477aa8e42c193237e2f9cf2d655&fileSn=1&bbsId= |
○ 화학기계연마(CMP)는 슬러리를 이용하여 연마패드와 시료 표면을 마찰함으로서 시료의 표면층을 효율적으로 연마하는 기술이다. 현재 CMP는 반도체 집적화로용 트랜지스터 등의 소자 및 다층배선의 층간 절연막 표면의 평탄화와 텅스텐이나 구리배선 형성 등에 필수적인 기술로 이용되고 있다.
○ 이 문헌은 최근 전자산업에 대량으로 사용되는 유리기판에 CMP를 사용하는 문제에 관한 것이다. 현재 유리 연마에는 산화세륨이 사용되고 있으나, 희귀금속으로 자원이나 가격 등의 문제가 대두 되고 있다. 필자는 이를 대
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