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NTIS 바로가기등록일자 | 2016-12-05 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=ad8befa671da4c75861e5560d5177645&fileSn=1&bbsId= |
○ 데이터 전송기술의 발전으로 스마트 폰에 동화상과 각종 클라우드 정보가 제공되고 있다. 100Gbit/s 통신 속도가 InP-DHBT 트랜지스터에 전송하게 되면 트랜지스터에 과도한 대전류가 인가되어서 자기발열로 인한 디바이스의 열화가 빨라지고 수명이 짧게 되는 문제가 있다. 이러한 문제를 개선하기 위해서 상온 및 저압에서 원자 확산접합으로 텅스텐 금속접합을 이용해서 SiC 기판위에 InP_DHBT 제작에 성공했다. ○ 디바이스에서 방출되는 열을 신속하게 외부로 방출하기 위해서 SiC 기판의 열전도율을 높여야 한다. 실
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