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NTIS 바로가기등록일자 | 2006-07-27 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/440508 |
원문 | http://ej.iop.org/links/q24/qg0VwC0TMrmPXtw+SKSfKQ/d6_10_R01.pdf |
문서암호 : www.kosen21.org
1. 분석자 서문
극-자외선 간섭 리소그래피(EUV-Interference Lithography)는 전자 가속기에서 얻어지는 극-자외선의 짧은 파장과 광 간섭 특성을 이용하여 20나노미터 이하의 규칙성을 가지는 나노 구조물을 제작할 수 있는 기술이다. 특히, 광원의 특이성으로 인하여 기존의 Laser로 수행할 수 없었던 다양한 방식의 간섭 패턴을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 복잡한 광학계 없이 마스크로 제작된 회절 무늬만으로 원하는 형상을 얻을 수 있는 장점이 있다.
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