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NTIS 바로가기등록일자 | 2016-01-25 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/762614 |
1. 분석자 서문
원자층 식각(Atomic layer etching, ALE)은 자체제한적인 반응을 차례로 일어나게 해서 증착시킨 박막물질을 제거하는 기술이다. 요즘 ALE는 반도체 산업에서 연속적인 식각을 대신할 수 있으며, 이는 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)과 대응되는 개념이다. 이 논문은 ALE의 기준을 정의함과 동시에 이 분야에서 쓰이는 용어와 가정을 명확히 한다. ALE 과정을 이해하기 위해, 대표적으로 실리콘 ALE를 예로 들고 있으며, 플라즈마를 이용한 과정의 장점
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