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보고서 상세정보

규소 단결정 성장시 결함제거 기술개발

Development of defect controlling methods in Si single crystals

주관연구기관 인천대학교
University Of Incheon
연구책임자 김영관
발행국가 대한민국
언어 한국어
발행년월 1995-00
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 인천대학교
University Of Incheon
등록번호 TRKO200200009046
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 단결정.초크랄스키법.산화적충결함 (OSF).D-defect.냉각속도.single crystal.Czochralski(CZ) method.OSF(Oxidation induced stacking fault).D-defect.cooling rate.