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규소 단결정 성장시 결함제거 기술개발
Development of defect controlling methods in Si single crystals 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 인천대학교
University Of Incheon
연구책임자 김영관
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1995-00
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 인천대학교
University Of Incheon
등록번호 TRKO200200009046
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 단결정.초크랄스키법.산화적충결함 (OSF).D-defect.냉각속도.single crystal.Czochralski(CZ) method.OSF(Oxidation induced stacking fault).D-defect.cooling rate.

초록

목차 Contents

  • Ⅰ.서론...7
  • Ⅱ.이론적 배경...9
  • 1.실리콘의 결정 구조 및 물리적 성질...9
  • 2.실리콘 단결정에서의 결함의 종류...9
  • 2.1 Grown in Defect...10
  • 2.2 성장후 과정에서 생기는 결함...11
  • 2.3 실리콘단결정에서 산화적층결함 형성에 영향을 미치는 주요인자...14
  • 2.4 OSF의 성장...16
  • 2.5 산소 석출물의 농도에 영향을 미치는 인자...17
  • 2.6 산소 석출물의 억제...19
  • Ⅲ.실험방법...21
  • 1.시편의 준비...21
  • 2.Heat treatment...22
  • 3.Oxidation...23
  • 4.Preferential etching...24
  • 5.결함의 관찰...25
  • 5-1.FTIR...25
  • 5-2.Four point probe method...26
  • Ⅳ.결과 및 고찰...28
  • 1.초기 산소 농도에 따른 OSF 농도 분석...28
  • 2.냉각속도에 따른 OSF 농도 분석...28
  • 3.냉각속도에 따른 결함의 크기...29
  • 4.냉각 속도에 따른 oxygen precipitate의 변화...29
  • 5.산화 적층 결함 농도에 따른 전기전도도의 변화...30
  • Ⅴ.결론...31
  • Ⅵ.Reference...32

참고문헌 (25)

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