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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국기계연구원 Korea Institute of Machinery and Materials |
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연구책임자 | 이응숙 |
참여연구자 | 강재훈 , 신영재 , 이후상 , 황경현 , 재태진 , 안대균 , 이재석 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1998-10 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국기계연구원 Korea Institute of Machinery and Materials |
등록번호 | TRKO200200010633 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
▷ 반도체 초 LSI의 고밀도화에 따라 디바이스 구조가 보다 다층화되고, 표면의 요철이 커지는 경향이 있다.
또한 표면의 단차가 커지면 노광시의 ? 점심도에 제한이 따르므로 미세한 선폭의 집적화가 곤란하며, 초 LSI의 제조 과정에서 디바이스의 표면을 평탄화할 필요가 있다.
▷ 따라서 미국, 일본 등의 선진국에서 실리콘 웨이퍼 등의 초정밀 경면 가공에 적용하여 충분한 효과를 획득하고 있는 화학-기계 복합 연마(CMP : Chemical Mechanical Polishing) 전용 가공 시스템의
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