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Langmuir 탐침법과 OES 방법으로 RF Power에 의해 생성된 Ar 과 CF4 프라즈마에 대한 연구

A Study of RF Generated Ar and CF4 Plasma by the Use of Langmuir Probe and Optical Emission Spectroscopy

보고서 정보
주관연구기관 국민대학교
KookMin University
연구책임자 조영석
참여연구자 윤성로 , 김성훈 , 이경순 , 이우동 , 백순철
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1991-02
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 국민대학교
KookMin University
등록번호 TRKO200200014551
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 RF 플라즈마.Ar.$CF_4$.방전특성.DC bias 전압.OES.플라즈마 밀도 분포.압력.극판간격.혼합개스.혼합비율.RF Plasmas.Argon.$CF_4$.Breakdown Characteristics.DC bias.OES.Plasma density distribution.Pressure.Electrode Distance.Mixed Gases.

초록

본 연구는 반도체 제조공정에서 많이 응용되고 있는 RF 플라즈마의 물성과 그 방전 메카니즘을 연구하기 위하여 RIE (Reactive Ion Etching)에서 많이 쓰이는 평행한 두국판 형태의 챔버를 제작하고 순수한 Ar 과 CF?, 그리고 일정비율로 섞은 그 혼합개스에 대하여 여러가지 조건에서 RF 플라즈마를 발생시킨후 전기적인 회로의 분석과 OES (Optical Emission Spectroscopy) 방법을 이용 그 방전 특성과 발생된 플라즈마의 물성을 진단하였다. 실험결과 RF 글로우 방전은 모든 개스에 대해 50-10

Abstract

This study was focused on the diagnostics of physical properties and breakdown mechanism of RF power generated Ar, CF?, and their mixed gases plasmas. For this purpose, plarnar diode type reactor which had been widely applied in the field of semiconductor process called RIE (Reactive Ion Etching), w

목차 Contents

  • 목차 ... 5
  • 1. 서 론 ... 6
  • 2. RF 플라즈마의 방전특성 및 DC bias 전압 ... 9
  • 2.1 서론 ... 9
  • 2.2 실험장치 ... 10
  • 2.3 실험결과 및 검토 ... 11
  • 2.3.1 RF방전의 특성 ... 11
  • 2.3.2 DC bias 전압 ... 12
  • 3. RF 플라즈마의 OES를 통한 진단 ... 15
  • 3.1 서론 ... 15
  • 3.2 실험 장치 ... 15
  • 3.3 플라즈마로부터 방출되는 빛의 밝기와 밀도분포 ... 16
  • 3.4 실험결과 및 검토 ... 18
  • 3.4.1 순수한 Ar, CF4, 혼합개스의 스펙트럼 분석 ... 18
  • 3.4.2 Ar I 라인과 F I 라인의 위치에 따른 밝기의 변화 ... 19
  • 3.4.3 RF 글로우방전에서 RF power의 크기에 따른 FI(6856 A) 과 Ar I(7504 A) 라인의 밝기 측정 ... 20
  • 참고문헌 ... 22

참고문헌 (25)

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