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NTIS 바로가기주관연구기관 | 청주대학교 Chengju University |
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연구책임자 | 김광호 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1997-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 청주대학교 Chengju University |
등록번호 | TRKO200200018299 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 강유전체.불화물박막.MF3구조.뉴런디바이스.ferroelectric materoals.fluoride thic film.MF3 structure.MFSFET.neuron devices. |
현재 많이 사용되고 있는 MISFET(metal-insulator-semiconductor-field-effect-transistor)구조의 절연체를 강유전체박막으로 대체시킨 트랜지스터는 비휘발성 메모리뿐만 아니라 기능성 뉴런디바이스의 응용에기대가 되고 있다. 이러한 디바이스에서는 구조적으로는 반도체위에서 직접적으로 강유전성 박막이 실현되어야 하며, 전기적으로는 정상적인 FET의 동작을 위해서는 강유전체/반도체 계면의 계면준위밀도가 적어야만 한다. 현재까지, 산화물 강유전체들의 연구가 주로 행하여져 왔으며, 이러한 산화물 강
Thin films of inorganic ferroelectric materials are playing anincreasingly important role in various applications. The materials requirements for theferroelectric film in MFS device structures necessitate deposition directly onto thesemiconductors. In these cases, it is necessary that
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