초록 ▼

가. 산화분위기 875℃ 소성용 유전체 조성 및 첨가제 개발
- 유전율 대역별 유전체 주조성 개발(Alloy design)
- 첨가제 개발 : 저온소결조제/프릿
- 첨가제 분산·주조성 분쇄기술 : 원료/슬러리 제조·평가기술
- 테이프 기계적/전자기적 특성평가
- 벌크/테이프 특성 비교 분석
- 후막 공정 set -up
- 칩 안테나 reverse engineering

나. 계면반응 및 수축율 제어를 통한 전극과의 매칭 기술개발<

가. 산화분위기 875℃ 소성용 유전체 조성 및 첨가제 개발
- 유전율 대역별 유전체 주조성 개발(Alloy design)
- 첨가제 개발 : 저온소결조제/프릿
- 첨가제 분산·주조성 분쇄기술 : 원료/슬러리 제조·평가기술
- 테이프 기계적/전자기적 특성평가
- 벌크/테이프 특성 비교 분석
- 후막 공정 set -up
- 칩 안테나 reverse engineering

나. 계면반응 및 수축율 제어를 통한 전극과의 매칭 기술개발
- 첨가제 개선(조성 & 원료 수정) : 계면반응/열팽창/수축율/접합력 제어
- 내열충격성 평가 및 제어(액상제어)
- 전극 수정
- 칩 안테나 패턴 설계
- 칩 제조공정 set -up
- 칩 시작품 제작·평가

다. 연구 내용
- Alloy design 기술 : 기존조성 조합(고용계, 혼합상계, 복합체)을 통한 1200∼1250℃에서 소성가능한 주조성 설계기술
- 첨가제 기술 : 저온소결조제와 glass frit 첨가제 개발(저온소성, 내환원성, 전극 compatibility)
- 원료기술 ; 첨가제 분산, 주원료분쇄 등 슬러리 기술 및 Paste화 기술
- 이종소재 matching 기술 : 세라믹/전극간 mismatch(계면반응, 수축율, 열팽창차이, 접합력)해결, 이방성 수축률 제어 기술(xy/Z 방향별 수축률 제어)
- 평가기술 : 슬러리 평가기술, Tape 평가기술, 전자기적 특성 평가기술, 계면반응 평가기술
- Empirical Law(실험식) 도출 : 상기 조성 design 기법과 실험결과의 비교, 분석을 통한 조성조합에 따른 물성예측 실험식 개발(기존의trial -error 방식의 조성조합 관행을 탈피)
- 적용 및 응용기술 : Prototype 시작품 제작·평가를 통한 개발기술 검증 및 응용단계에서의 문제점 도출을 통한 기술개발에의 feedback.

Abstract ▼

A. Development of dielectric ceramic compositions and additive for firing at 875℃ in air
- Development of main dielectric composition in the various range of dielectric constant(Alloy design)
- Development of additives : low sintering aids/frits
- Dispersion of additive, milling

A. Development of dielectric ceramic compositions and additive for firing at 875℃ in air
- Development of main dielectric composition in the various range of dielectric constant(Alloy design)
- Development of additives : low sintering aids/frits
- Dispersion of additive, milling technique of main composition : synthesis and characterization techniques of raw material and slurry
- Mechanical/Electromagnetic characterization of bulk and tape
- Comparison and analysis of the properties of bulk and tape
- Thick film processing set -up - Reverse engineering of Chip antenna

B. Development of matching between different materials along with control of interfacial reaction and shrinkage
- Approvement of additives(modification of composition and raw materials) : control of interfacial reaction/thermalexpansion/shrinkage/joining strength
- Evaluation of heat -resisting impact(control of liquid phase)
- Modification of electrode materials
- Design of chip antenna patterns
- Set -up of Chip fabrication technique
- Fabrication and measurement of chip prototypes

목차 Contents

• 제 1 장. 서론...23
• 제 2 장. 국내외 기술개발 현황...25
• 제 1 절. 연구개발의 경제ㆍ사회ㆍ기술적 중요성...25
• 제 2 절. 지금까지의 연구개발 실적...28
• 제 3 절. 현기술상태의 취약성...29
• 제 4 절. 앞으로의 전망...30
• 제 3 장. 연구개발수행 내용 및 결과...31
• 제 1 절. 연구개발의 이론적, 실험적 접근방법...31
• 제 2 절. 산화분위기 875$^oC$ 소성용 유전체 조성 및 첨가제 개발 13...35
• 제 3 절. 계면 방응 및 수축율 제어를 통한 전극과의 matching 기술개발...137
• 제 4 절. 칩 제조공정 기술개발...173
• 제 5 절. Prototype chip 시작품 제작, 평가...231
• 제 4 장. 연구개발목표 달성도 및 대외기여도...266
• 제 1 절. 연구개발목표 달성도...266
• 제 2 절. 연구개발 대외 기여도...272
• 제 5 장. 연구개발결과의 활용계획 및 활용가능성...278
• 제 1 절. 개발기술의 활용계획...278
• 제 2 절. 연구개발의 활용가능성...283
• 제 6 장. 참고문헌...286