초록 ▼

$\cdot$3단계 열분해장치 제작， bubblhg에 의해 theophene 도입， 수율 개선
$\cdot$기존의 전기방전법을 이용한 수율 개선， 저압법， sulfur 도입
$\cdot$공기중 열처리에 의한 탄소입자 제거， 시료 회전을 이용한 수율 개선， 산처리에 의한 금속 입자 제거
$\cdot$공기 및 기상화한 산을 동시에 공급 （aggregation 방지） 하는 방법 개발
$\cdot$photoemis

$\cdot$3단계 열분해장치 제작， bubblhg에 의해 theophene 도입， 수율 개선
$\cdot$기존의 전기방전법을 이용한 수율 개선， 저압법， sulfur 도입
$\cdot$공기중 열처리에 의한 탄소입자 제거， 시료 회전을 이용한 수율 개선， 산처리에 의한 금속 입자 제거
$\cdot$공기 및 기상화한 산을 동시에 공급 （aggregation 방지） 하는 방법 개발
$\cdot$photoemission 실험에 의해 수직 성장된 나노튜브의 분산 측정， 이론과 비교하여 chirality 측정
$\cdot$THz-UV 영역까지 흡수 실험을 통한 튜브의 금속성 조사
$\cdot$이중 촉매 장치에 의한 저온 수직 성장 (550$\degC$ 이하）
$\cdot$aikali 금속 doping에 관한 DFT 계산 및 기상 in situ doping에 의한 수소 흡착 실험
$\cdot$F 기능화에 따른 특성 및 구조 변화， XPS, TEM/ DFT계산
$\cdot$H 기능화에 의한 나노튜브 bandgap engineering, 트랜지스터 응용
$\cdot$FESEM 속에 nanopositioner 두 개를 장착하여nanopulator를 절계하여 JEOL에 의뢰 제작함．
$\cdot$도전제를 첨가하여 나노튜브의 전도성을 증가시켜 방전전압 평탄준위 영역을 증가시켜 450 mAh/g을 얻음．
$\cdot$정확한 수소 저장량을 측정하기 위해 QCM법， galvanmetric법， 기체 성분 분석，in situ doping등을 이용한 용량측정 및 이론 계산 분석
$\cdot$1000 C 열처리에 의한 나노튜브 비표면적 분포 개선에 의한 capacitance 증가 (180 F/g)
$\cdot$탄소나노튜브를 PPY 중합체와 composite을 제작하여 265 F/g 의 저장 용량을 얻음

Abstract ▼

- multi-walled CNT: 1 kg/day, yield 70 %
- singlewalled CNT: 0.1 kg/day, yield 수율 50 %, SCI paper 1
- purification using gas phase and liquid phase: purity 98 % or more, yield 30 % or more, metal 1 % or less, patent 1, SCI 3
- diameter control via control of nanoparticles: a few nm ~50 nm

- multi-walled CNT: 1 kg/day, yield 70 %
- singlewalled CNT: 0.1 kg/day, yield 수율 50 %, SCI paper 1
- purification using gas phase and liquid phase: purity 98 % or more, yield 30 % or more, metal 1 % or less, patent 1, SCI 3
- diameter control via control of nanoparticles: a few nm ~50 nm
- diameter control via grain size ocntrol of sputtered Ni film: 10 nm ~50 nm
- length control by growth time, manufacturing thermal CVD hamber using electric and magnetic fileds: Sd paper 3
- successfully have grown vertically aligned CNTs using thermal CVD at 550 °C
- selective growth using a mixture of catalyst-noncatalyst, effect of gas adsorbates on the field emission characteristics with vertically aligned CNTs: international patent 3, SCI paper 6
- Structural analysis by K doping, F doping CNTs: SCI papers 2
- Electronic structure modification of CNTs by hydrogen functionalization: patent 1, SCI paper 2, international patent 4
- Development of nanomanipulator in FE-SEM
- Supercapacitor of singlewalled CNTs by heat breatment: 180 F/ g
- Fabrication of Ppy-CNT nanocomposite electrodes for supercapacitor: 265 F/ g, patent 6 (including 3 international patent), SCI paper 4
- hydrogen storage using pristine singlewaledl CNTs: 3 Hwt% (77 K) SCI paper 3