초록 ▼

초박막의 표면계면 특성분석 기술을 고도화하고 확립된 기술을 활용 보급하기 위해 조성정량분석 연구, 원자층수준의 깊이 분해능 연구, 결정성 초박막의 원자배열구조연구, 초박막의 스퍼터링효과 연구, 여기상태 전자동력학연구, 국제표준화 활동, 및 국제표준화 활동 등을 수행하였다. 이를 통해 XPS를 이용한 조성정량 분석 오차 4 % 이하 측정, SIMS 깊이 분해능 0.5 nm 달성, MEIS를 이용한 원자구조 변형율 0.2 % 측정, TRPES에서 시간 분해능 25 fs 등을 달성하였다. 또한 ISO/TC201 표면분석 국제표준화 활동에

초박막의 표면계면 특성분석 기술을 고도화하고 확립된 기술을 활용 보급하기 위해 조성정량분석 연구, 원자층수준의 깊이 분해능 연구, 결정성 초박막의 원자배열구조연구, 초박막의 스퍼터링효과 연구, 여기상태 전자동력학연구, 국제표준화 활동, 및 국제표준화 활동 등을 수행하였다. 이를 통해 XPS를 이용한 조성정량 분석 오차 4 % 이하 측정, SIMS 깊이 분해능 0.5 nm 달성, MEIS를 이용한 원자구조 변형율 0.2 % 측정, TRPES에서 시간 분해능 25 fs 등을 달성하였다. 또한 ISO/TC201 표면분석 국제표준화 활동에 적극적으로 참여하여 우리가 제안한 표준이 국제 표준으로 채택되었다.
이와 더불어 다양한 조성 분석 및 깊이 분해능 분석용 표준시료를 개발하여 국내에 보급하였고, 이들 표준 시료를 이용한 공동분석을 통해 국내의 표면계면 분석가들의 분석능력 평가에 중요한 역할을 하였다. 뿐만 아니라 동남아 개발도상국을 대상으로 훈련용 워크샵을 개최하였으며, 국내 최초의 XPS user's meeting 실시한 후 이를 표면분석 심포지움으로 발전시켜서 앞으로 항구적인 교류의 장이 되도록 하였다.

Abstract ▼

Year 1 - 1999
- Confirmation of the reliability of 8 % error in the concentration measurements of Co-Pt alloy thin films using XPS
- Achieving 6 % error in Fe-Ni alloy thin films in XPS concentration analysis
- Test of thin film deposition system for direct measurements of IMFP
- Achievi

Year 1 - 1999
- Confirmation of the reliability of 8 % error in the concentration measurements of Co-Pt alloy thin films using XPS
- Achieving 6 % error in Fe-Ni alloy thin films in XPS concentration analysis
- Test of thin film deposition system for direct measurements of IMFP
- Achieving 2.0 nm depth resolution in SIMS using glancing angle incidence
- Improving sample handling system for XPD crystal structure analysis
- Installation and testing of laser system for TRPES
- Improving ultrathin sample analysis request procedure by external users
- Establishing surface analysis lecture program and texts
- Assessing the needs for XPS user's meeting
Year 2 - 2000
- Establishing 6 % error level in XPS concentration analysis using measured and calculated values of IMFP
- Achieving 1.0 nm depth resolution in SIMS using glancing angle incidence and other techniques
- Measurements of 2 % strain using XPD and MEIS
- Obtaining TRPES data from a metallic ultrathin film
- Conducting domestic RRT
- Administering first XPS user's meeting
Year 3 - 2001
- Partially establishing 5 % error level in XPS concentration analysis
- Partially achieving 0.8 nm depth resolution in SIMS
- Measurements of 1 % strain using MEIS
- Establishing organic/metal electronic structure measurement method with UPS
- Administering regular XPS user's meeting
Year 4 - 2002
- Establishing 4-5 % error level in XPS concentration analysis
- Achieving 0.8 nm depth resolution in SIMS
- Measurements of 0.5 % strain using MEIS
- Achieving TRPES time resolution of 30 fs
Year 5 - 2003
- Establishing 4 % error level in XPS concentration analysis
- Achieving 0.5 nm depth resolution in SIMSM
- Measurements of 0.52 % strain using MEISA
- Achieving TRPES time resolution of 20 fs
- Achieving the Center of Excellence in ultrthin surface and interface analysis

목차 Contents

• 제1장 서론...21
• 제1절 연구개발의 목적...21
• 제2절 연구개발의 필요성...21
• 제3절 연구개발 범위...23
• 제2장 국내외 기술개발 현황...29
• 제3장 연구개발수행 내용 및 결과...32
• 제1절 XPS 정량화 연구...32
• 제2절 원자층 수준의 깊이 분해능 연구...49
• 제3절 결정성 초박막의 원자배열 구조 연구...90
• 제4절 초박막의 스퍼터링 효과 연구...105
• 제5절 여기상태 전자 동력학 연구...116
• 제6절 표면분석 국제표준화 활동...131
• 제7절 국내표준 보급 활동...142
• 부 록...215