$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

고성능 나노 SOI 공정 기술 개발

보고서 정보
주관연구기관 한양대학교
HanYang University
연구책임자 박재근
보고서유형2단계보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2007-08
과제시작연도 2006
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학재단
Korea Science and Engineering Foundtion
등록번호 TRKO200900072487
과제고유번호 1350005096
사업명 국가지정연구실사업
DB 구축일자 2015-01-08
키워드 나노 에스오아이.스트레인드 실리콘.에피실리콘 성장.나노 토포그래피 CMP.슈퍼실리콘.무결함 본딩.포논 스캐터링.nano-SOI.strained Si.epitaxial growth.nano topography CMP.super Si.bonding.phonon scattering.

초록

수십 기가 헤르츠급 초고속 MPU 및 SoC용 45 nm급(상층 Si + relaxed SiGe 두께 < 50 nm) 8인치 및 12인치 양산용 strained SGOI(또는 strained SOI) 웨이퍼 핵심 공정 기술을 다음과 같이 확보하였음.
1. 균일 나노 변위 복합층 성장 기술 개발
가. Dislocation free인 나노 복합 SiGe층(buffered SiGe/ graded SiGe/ Si) 성장 기술 개발
나. 균일 strained Si층 성장 UHV-CVD 설비 저온(650℃이하) 나노에피 실리콘

Abstract

We developed high-performance nano-SOI (strained Si/ relaxed SiGe-on-insulator or strained Si-on-insulator) process technology manufacturable for the mass production of 200 and 300 mm wafer for MPU and SoC devices of 45 nm design rule as follows:
1. Growth technology development of uniform nano-

목차 Contents

  • 제 1 장 연구개발과제의 개요...12
  • 1 . 1 . 연구 개발의 목적 및 필요성...12
  • 1 . 기술적 측면...12
  • 2 . 경제 산업적 측면...14
  • 3 . 사회.문화적 측면...18
  • 제 2 장 국내외 기술개발 현황...20
  • 2 . 1 . 국내.외 관련분야에 대한 기술 개발 현황...20
  • 1 . 세계적 기술현황 및 전망...20
  • 2 . 국내 기술 현황 및 전망...25
  • 2 . 2 . 연구결과가 국내.외 기술개발현황에서 차지하는 위치...26
  • 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과...27
  • 3 . 1 . 연구 개발의 범위 및 접근 방법...27
  • 1 . 최종 목표...27
  • 2 . 연구 개발 범위 및 접근 방법...27
  • 3 . 2 . 연구 내용 및 결과...31
  • 1 . 나노 복합 SiGe층 성장 기술...31
  • 2 . 저온 나노 에피 실리콘 성장 기술...37
  • 3 . 저 에너지 수소이온 주입 기술...38
  • 4 . 나노 c leavage 기술...44
  • 5 . 나노 표면 처리 기술...51
  • 6. 표면 roughness 0.5 nm 이하인 나노토포그래피 CMP 기술...60
  • 7 . 1 2인치 슈퍼 실리콘 웨이퍼 개발...73
  • 8 . 무결함 본딩 기술...77
  • 9. 무결함 및 저단가 공정 설계 strained SGOI 웨이퍼 개발...83
  • 10. Nano-scale의 SiGe 두께 측정 기술 ...94
  • 11. 30 nm급 n-MOSFET의 전자 이동도 및 소자 특성 평가 프로그램 개발...101
  • 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도...128
  • 4 . 1 . 연구개발목표의 달성도...128
  • 1 . 연차별 평가의 착안점 및 척도...128
  • 2 . 연차별 연구개발목표의 달성도...131
  • 4 . 2. 관련분야의 기술 발전에의 기여도...134
  • 제 5 장 연구개발결과의 활용계획...135
  • 5 . 1 . 추가 연구의 필요성...135
  • 1 . 최신 해외 연구개발 동향...135
  • 2 . 추가 연구개발 목표 및 필요성 ...136
  • 5 . 2 . 타 연구에의 응용...137
  • 5 . 3 . 기업화 추진 방안...138
  • 제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보...140
  • 6. 1. North Carolina state university의 Rozgonyi 연구 그룹...140
  • 6. 2. University of California, Berkeley의 Weber 연구 그룹...141
  • 6. 3. Arizona state university의 Schroder 연구 그룹...142
  • 6. 4. Tokyo unive rsity의 Takagi 연구 그룹...143
  • 6. 5. Florida unive rsity의 Thompson 연구 그룹...143
  • 제 7 장 참고문헌...145
  • 7. 1. 균일 나노 변위 복합층 성장 기술 연구 분야...145
  • 7. 2. 나노 웨이퍼 표면 처리 기술 개발 연구 분야...148
  • 7. 3. 소자 동작영역 무결정 결함 기술 연구 분야...153
  • 7. 4. 초미세 표면 결함 분석 기술 연구 분야...158
  • 7. 5. 고성능 나노 SOI 소자 컴퓨터 모사 연구 분야...159

참고문헌 (25)

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트