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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 HanYang University |
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연구책임자 | 박재근 |
보고서유형 | 2단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2007-08 |
과제시작연도 | 2006 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200900072487 |
과제고유번호 | 1350005096 |
사업명 | 국가지정연구실사업 |
DB 구축일자 | 2015-01-08 |
키워드 | 나노 에스오아이.스트레인드 실리콘.에피실리콘 성장.나노 토포그래피 CMP.슈퍼실리콘.무결함 본딩.포논 스캐터링.nano-SOI.strained Si.epitaxial growth.nano topography CMP.super Si.bonding.phonon scattering. |
수십 기가 헤르츠급 초고속 MPU 및 SoC용 45 nm급(상층 Si + relaxed SiGe 두께 < 50 nm) 8인치 및 12인치 양산용 strained SGOI(또는 strained SOI) 웨이퍼 핵심 공정 기술을 다음과 같이 확보하였음.
1. 균일 나노 변위 복합층 성장 기술 개발
가. Dislocation free인 나노 복합 SiGe층(buffered SiGe/ graded SiGe/ Si) 성장 기술 개발
나. 균일 strained Si층 성장 UHV-CVD 설비 저온(650℃이하) 나노에피 실리콘
We developed high-performance nano-SOI (strained Si/ relaxed SiGe-on-insulator or strained Si-on-insulator) process technology manufacturable for the mass production of 200 and 300 mm wafer for MPU and SoC devices of 45 nm design rule as follows:
1. Growth technology development of uniform nano-
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