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보고서 상세정보

고성능 나노 SOI 공정 기술 개발

과제명 고성능 나노 SOI 공정 기술 개발
주관연구기관 한양대학교
HanYang University
연구책임자 박재근
보고서유형 2단계보고서
발행국가 대한민국
언어 한국어
발행년월 2007-08
과제시작년도 2006
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학재단
Korea Science and Engineering Foundtion
등록번호 TRKO200900072487
과제고유번호 1350005096
사업명 국가지정연구실사업
DB 구축일자 2015-01-08
키워드 나노 에스오아이.스트레인드 실리콘.에피실리콘 성장.나노 토포그래피 CMP.슈퍼실리콘.무결함 본딩.포논 스캐터링.nano-SOI.strained Si.epitaxial growth.nano topography CMP.super Si.bonding.phonon scattering.
초록

수십 기가 헤르츠급 초고속 MPU 및 SoC용 45 nm급(상층 Si + relaxed SiGe 두께 < 50 nm) 8인치 및 12인치 양산용 strained SGOI(또는 strained SOI) 웨이퍼 핵심 공정 기술을 다음과 ...

Abstract

We developed high-performance nano-SOI (strained Si/ relaxed SiGe-on-insulator or strained Si-on-insulator) process technology man...