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보고서 상세정보

고성능 나노 SOI공정기술에 관한 연구

과제명 고성능 나노 SOI 공정 기술
주관연구기관 한양대학교
HanYang University
연구책임자 박재근
참여연구자 이곤섭, 심태헌, 이은하
보고서유형 1단계보고서
발행국가 대한민국
언어 한국어
발행년월 2004-09
과제시작년도 2003
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학재단
Korea Science and Engineering Foundtion
등록번호 TRKO200900073107
과제고유번호 1350020108
사업명 국가지정연구실사업
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 고성능 나노-SOI.무결함 본딩.수소이온주입.Nano-SOI Process.High performance nano-SOI.bonding.hydrogen implantation.
초록

메모리 소자, SoC, 고속 마이크로프로세서, IMT-2000용 소자, MEMS 센서, Smart power IC 및 PDP 구동 IC용 소자 구조는 벌크 실리콘 웨이퍼 기반 구조를 가지고 있어, 저전력 소모화, 고속화, 고집적화의 ...

Abstract

When the top silicon thickness in SOI(Silicon on Insulator) MOSFETs structure is reduced to the range of less than 20nm, the size ...