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보고서 상세정보

고품위 단결정 Silicon-on-Sapphire (SOS) Wafer 개발

과제명 고품위 단결정 Silicon-on-Sapphire (SOS) Wafer 개발
주관연구기관 (주)나노아이에프
보고서유형 최종보고서
발행국가 대한민국
언어 한국어
발행년월 2011-07
과제시작년도 2010
주관부처 중소기업청
Small and Medium Business Administration
등록번호 TRKO201200006183
과제고유번호 1425064343
사업명 창업보육기술개발
DB 구축일자 2013-05-20
키워드 실리콘 온 사파이어.양성자 공정법.급속열처리화학증착법.
연구과제
타임라인
과제명
고품위 단결정 Silicon-on-Sapphire (SOS) Wafer 개발
과제기간
2009 ~ 2010
총연구비 ...
초록

단결정 Silicon 나노박막 Silicon-on-Sapphire (SOS)는 <TEX>$SiO_2$</TEX>단결정 Silicon 나노박막 Silicon-on-Sapphire (SOS)는 <TEX>$SiO_2$</TEX> 보다 우수한 특성 때문에 극한 용도의 센서, 인공위성에서의 전자소자에 사용 가능하고, 최근 GaAs p-HEMT를 대치하는 고속-고출력 rf 소자 등에 활용하고 있다. 특히 SOS는 SOI (Silicon on Insulator)의 하나의 분야로서, 사파이어 (<TEX>$Al_2O_3$</TEX>) 기판은 기존의 SOI 기판인 <TEX>$SiO_2$</TEX> 보다 유전상수 (9.39 <TEX>${\varepsilon}_o$</TEX>)가 크고, 상대적인 열전도도가 우수한 (0.46 <TEX>$Wcm^{-1}K^{-1}$</TEX>) 특성을 갖고 있다. 또한, 기존의 Silicon보다 높은 강도 및 방사선에 강한 특성을 가지며, 동시에 소자 제작 시, 소자 간의 절연 (isolation)을 위해 사용되는 latch-up 구조가 불필요함으로 소자의 집적도를 향상시킬 수 있다. 또한 나노구조 형태의 전자소자 구성 시 vertical junction의 구조로 보다 얇은 박막 공정을 진행 할 수 있다는 장점을 갖고 있다.
SOS를 이용한 rf 스위치 소자는 2005년에 OKI 전자에서 개발하여, 2006년도에 mobile phone에 적용하기 시작하였으며, 2007년도부터 본격적으로 iPhone에 도입하여 그 해에 130만대의 mobile iPhone을 판매하였다. 2008년도에는 지속적인 성장을 거쳐 2009년부터는 국내 판매를 준비하고 있으며, 국내 mobile phone에도 적용해야할 것으로 판단되므로 차세대 mobile phone 분야에서 경쟁력을 확보해야할 것이다.

목차
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