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고품위 단결정 Silicon-on-Sapphire (SOS) Wafer 개발 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 (주)나노아이에프
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2011-07
과제시작연도 2010
주관부처 중소기업청
Small and Medium Business Administration
등록번호 TRKO201200006183
과제고유번호 1425064343
사업명 창업보육기술개발
DB 구축일자 2013-05-20
키워드 실리콘 온 사파이어.양성자 공정법.급속열처리화학증착법.

초록 ▼

단결정 Silicon 나노박막 Silicon-on-Sapphire (SOS)는 <TEX>$SiO_2$</TEX> 보다 우수한 특성 때문에 극한 용도의 센서, 인공위성에서의 전자소자에 사용 가능하고, 최근 GaAs p-HEMT를 대치하는 고속-고출력 rf 소자 등에 활용하고 있다. 특히 SOS는 SOI (Silicon on Insulator)의

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 중소기업기술개발지원사업 최종보고서 ... 2
  • 제출문 ... 3
  • 요약서(초록) ... 4
  • 목차 ... 5
  • 제 1 장 개발기술의 개요 ... 6
  • 제 2 장 개발목표 및 개발내용 ... 8
  • 제 1 절 기술개발 목표 ... 8
  • 1. 1차년도 목표 ... 8
  • 2. 2차년도 목표 ... 8
  • 제 2 절 세부 계획 및 개발내용 ... 8
  • 1. 고품위 결정성 실리콘박막 성장 방법 및 공정기술 개발 방법 ... 8
  • 가. SOS성장방법 ... 8
  • 나. 수소 주입공정 장치 및 방법 ... 9
  • 다. 고품질 SOS를 위한 재결정화 ... 11
  • 라. 성장 변수 최적화 조건 ... 12
  • 2. 고품위 결정성 실리콘 박막 연구 ... 14
  • 가. 결정성장 ... 14
  • 나. 양성자이온 주입공정 연구 ... 17
  • 다. 결정성 특성 연구 ... 20
  • 라. 전기적 특성 연구 ... 23
  • 마. 결함 분석 연구 ... 27
  • 3. 2인치 이상급 고품위 결정성 SOS웨이퍼 생산기술 개발 ... 30
  • 가. 2인치 이상급 Silicon 단결정 박막 기술 개발 ... 30
  • 나. 2”급 wafer 균일도 확보를 위한 후공정 연구 ... 34
  • 다. SOS wafer 신뢰성 평가기술 개발 ... 37
  • 제 3장 성과 요약 및 기대효과 ... 42
  • 사업비 사용실적 보고서 ... 45

참고문헌 (25)

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