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보고서 상세정보

차세대 리소그래피용 신규 레지스트 개발

Novel Resists for Next Generation Lithography

과제명 차세대 리소그래피용 신규 레지스트 개발
주관연구기관 한국과학기술원
Korea Advanced Institute of Science and Technology
보고서유형 최종보고서
발행국가 대한민국
언어 한국어
발행년월 2011-03
과제시작년도 2010
주관부처 미래창조과학부
Ministry of Science, ICT and Future Planning
등록번호 TRKO201300014837
과제고유번호 1345135838
사업명 한국과학기술원연구운영비지원(0.5)
DB 구축일자 2013-10-05
키워드 포토리소그래피.포토레지스트.실리콘 고분자.계면 이미징.나노 패턴.Photolithography.Photoresist.Silicon polymer.Interface imaging process.Nanopattern.
DOI https://doi.org/10.23000/TRKO201300014837
초록

III. 연구개발의 내용 및 범위
반도체 디바이스의 패턴 사이즈의 미세화는 지속적으로 이루어져 왔으며, 그러한 디바이스를 구현하기 위해서 여러 가지 새로운 리소그래피 장비, 물질, 가공방법들이 요구된다.
본 연구에서는 고해...

Abstract

The new silicon-containing materials for chemically and non-chemically amplified resists are designed and combined with the O...

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