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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2011-03 |
과제시작연도 | 2010 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201300014837 |
과제고유번호 | 1345135838 |
사업명 | 한국과학기술원연구운영비지원(0.5) |
DB 구축일자 | 2013-10-05 |
키워드 | 포토리소그래피.포토레지스트.실리콘 고분자.계면 이미징.나노 패턴.Photolithography.Photoresist.Silicon polymer.Interface imaging process.Nanopattern. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201300014837 |
III. 연구개발의 내용 및 범위
반도체 디바이스의 패턴 사이즈의 미세화는 지속적으로 이루어져 왔으며, 그러한 디바이스를 구현하기 위해서 여러 가지 새로운 리소그래피 장비, 물질, 가공방법들이 요구된다.
본 연구에서는 고해상도와 고종횡비의 레지스트 패턴을 얻을 수 있는 선택적 표면반응을 이용하는 새로운 접근 방법을 제안하였다. 기존의 top surface imaging 공정에서는 실릴화 물질이 레지스트내부로 흡수되어 레지스트와 화학반응을 일으키기 때문에 부피가 팽창하여 레지스트 프로파일이 변형되어 해상도가 악화되고 미노광
The new silicon-containing materials for chemically and non-chemically amplified resists are designed and combined with the O2-RIE novel resist process, surface imaging using selective surface reaction to fabricate nanostructures with high resolution and high aspect-ratio. We suggest new
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