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차세대 리소그래피용 신규 레지스트 개발

Novel Resists for Next Generation Lithography

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술원
Korea Advanced Institute of Science and Technology
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2011-03
과제시작연도 2010
주관부처 미래창조과학부
Ministry of Science, ICT and Future Planning
등록번호 TRKO201300014837
과제고유번호 1345135838
사업명 한국과학기술원연구운영비지원(0.5)
DB 구축일자 2013-10-05
키워드 포토리소그래피.포토레지스트.실리콘 고분자.계면 이미징.나노 패턴.Photolithography.Photoresist.Silicon polymer.Interface imaging process.Nanopattern.
DOI https://doi.org/10.23000/TRKO201300014837

초록

III. 연구개발의 내용 및 범위
반도체 디바이스의 패턴 사이즈의 미세화는 지속적으로 이루어져 왔으며, 그러한 디바이스를 구현하기 위해서 여러 가지 새로운 리소그래피 장비, 물질, 가공방법들이 요구된다.
본 연구에서는 고해상도와 고종횡비의 레지스트 패턴을 얻을 수 있는 선택적 표면반응을 이용하는 새로운 접근 방법을 제안하였다. 기존의 top surface imaging 공정에서는 실릴화 물질이 레지스트내부로 흡수되어 레지스트와 화학반응을 일으키기 때문에 부피가 팽창하여 레지스트 프로파일이 변형되어 해상도가 악화되고 미노광

Abstract

The new silicon-containing materials for chemically and non-chemically amplified resists are designed and combined with the O2-RIE novel resist process, surface imaging using selective surface reaction to fabricate nanostructures with high resolution and high aspect-ratio. We suggest new

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제출문 ... 2
  • 보고서 초록 ... 3
  • 요약문 ... 4
  • SUMMARY ... 6
  • CONTENTS ... 8
  • 목차 ... 9
  • 제1장 연구개발과제의 개요 ... 10
  • 제1절 연구개발의 목적 ... 10
  • 제2절 연구개발의 필요성 ... 10
  • 제2장 국내외 기술개발 현황 ... 12
  • 제1절 국내 기술 동향 및 사례 ... 12
  • 제2절 국외 기술 동향 및 사례 ... 12
  • 제3절 국내.외 기술개발현황에 연구 결과가 미치는 영향 ... 13
  • 제3장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 14
  • 제1절 화학증폭형 레지스트의 산 확산 제어를 이용한 높은 종횡비를 가지는 패턴 제작 ... 14
  • 제2절 광 활성기를 가진 레지스트와 내에칭성을 가지는 실리콘어 함유된 레지스트의 블렌딩을 통한 높은 종횡비를 갖는 나노 사이즈 패터닝 ... 19
  • 제3절 광 활성기를 가진 모노머와 내에칭성을 가지는 실리콘이 함유된 단일 레지스트을 통한 높은 종횡비를 갖는 나노 사이즈 패터닝 ... 26
  • 제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 31
  • 제1절 연도별 연구목표 및 평가착안점에 입각한 연구개발목표의 달성도 ... 31
  • 제2절 관련분야의 기술발전에의 기여도 ... 31
  • 제5장 연구개발결과의 활용계획 ... 32
  • 제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 34
  • 제7장 참고문헌 ... 35
  • 끝페이지 ... 36

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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