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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국산업기술대학교 Korea Polytechnic University |
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연구책임자 | 이성남 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-06 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201300018635 |
과제고유번호 | 1345151148 |
사업명 | 기본연구지원사업 |
DB 구축일자 | 2013-08-26 |
○ 본 연구는 이종 기판인 m-면 사파이어 기판을 사용하여 고품질 저결함의 반극성 (11-22) GaN 박막성장에 대한 연구로서 독자적인 측면 에피성장기술을 개발하는 것을 최종 목표로 기존의 c-면 GaN 기판 수준의 결함 밀도를 갖는 반극성 (11-22) GaN 박막을 성장하는 것이 본 과제의 최종 목표임
- 1차년도 (2010년) : 이종기판을 사용한 고품질 in-situ 반극성 GaN 박막 성장기술 개발
- 2차년도 (2011년) : Ex-situ 이종성장법을 이용한 저결함 반극성 GaN 박막 성장기술 개발
○
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