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뉴로모픽 반도체 소자 응용기술
Neuromorphic semiconductor device and its applications 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 포항공과대학교
Pohang University of Science and Technology
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2012-07
과제시작연도 2012
주관부처 교육과학기술부
Ministry of Education and Science Technology(MEST)
등록번호 TRKO201300035008
과제고유번호 1345169448
사업명 첨단융합기술개발
DB 구축일자 2013-12-21
키워드 뉴로모픽.시냅스.저항변화메모리.뉴런 소자.발화 시간 기반 가소성.크로스포인트어레이.폰노이만.멤리스터.패턴인식.Neuromorphic.Synapse.Resistive memory.Neuron device.Spike time dependent plasticity (STDP).Cross-point array.Von Neumann.Memristor.Pattern recognition.
DOI https://doi.org/10.23000/TRKO201300035008

초록 ▼

III.선행기획연구의 내용 및 범위
가. 뉴로모픽 반도체 소자를 구현하기 위해 필수적인, 핵심 단위 기술의 연구 동향에 대해, 특허, 논문, 및 전문가 자문을 통해 분석하고, 원천기술 확보 방안을 제시
나. CMOS 뉴런, RRAM 시냅스, 집적화 기술 및 소프트웨어에 대해 선진기관의 연구 결과를 분석하고 원천 기술 확보하고, 기술 개발 로드맵을 작성
다. 시냅스용 저항변화메모리(RRAM) 원천 소재 기술 동향 파악
라. CMOS뉴런 회로 설계 및 Mbit급 array 집적화 관련 기술 동향 파악
마. 신

Abstract ▼

Ⅲ. Contents
A. To set-up research plan and technology roadmap for neuromorphic semiconductor device, we need to investigate core unit technologies such as CMOS neuron, RRAM synapse, integration, and software technology. We will prepare patent map to find out core technology for neuromorphic devic

목차 Contents

  • 표 지 ... 1
  • 제 출 문 ... 2
  • 보고서 요약서 ... 3
  • 요 약 문 ... 4
  • SUMMARY ... 6
  • CONTENTS ... 7
  • 목 차 ... 8
  • 제 1 장 선행기획연구 개요 ... 9
  • 1. 선행기획연구의 목적, 필요성 및 범위 ... 9
  • 2. 대상 융합기술의 정의 및 개념 ... 12
  • 제 2 장 기술개발 현황 및 조사․분석 ... 14
  • 1. 국내․외 기술개발 현황 ... 14
  • 2. 선행 연구 조사․분석 및 시사점 ... 15
  • 제 3 장 기술개발 목표 및 내용 ... 38
  • 1. 원천특허 포트폴리오 ... 38
  • 2. 연구개발내용 및 범위 ... 44
  • 3. 기존 기술과의 차별성 및 원천성 ... 51
  • 4. 국가 R&D 전략과의 연계성 및 부합성 ... 53
  • 5. 선행연구내용 및 결과 ... 54
  • 제 4 장 선행기획연구 활동 추진 내용 ... 65
  • 1. 선행기획연구 추진 체계 ... 65
  • 2. 선행기획연구 방법론 ... 65
  • 3. 선행기획연구 활동 내용 ... 66
  • 4. R&D 추진 전략 컨설팅(‘12 .6월) 결과 반영 ... 68
  • 제 5 장 기대성과 및 활용 계획 ... 72
  • 1. 기대성과 ... 72
  • 2. 상용화 예상 분야 ... 72
  • 3. 경제성 분석 ... 78
  • 제 6 장 참고문헌 ... 79

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참고문헌 (25)

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