초록 ▼

연구결과 요약서 초록
○ 용액공정용 고성능 반도체 절연체 전도체 소재 연구를 통하여 인쇄전자소자용 화학소재 원천기술 확보 및 응용 기술을 개발함
○ 용액공정용 고성능 반도체 소재 연구를 통하여 전하이동도 10㎠/V.s공정온도 400℃인 반도체 잉크를 개발함
○ 용액공정용 고성능 절연체 소재 연구를 통하여 누설전류 1X10¹¹A/㎠ 절연파괴전압 3 MV/cm 내화학성 두께변화 < 2%, 전하이동도 1.7~1.9 ㎠V.s 무기반도체 적용시)인 절연체 소재를 개발함
○ 용액공정용 고성능 전도체 소

연구결과 요약서 초록
○ 용액공정용 고성능 반도체 절연체 전도체 소재 연구를 통하여 인쇄전자소자용 화학소재 원천기술 확보 및 응용 기술을 개발함
○ 용액공정용 고성능 반도체 소재 연구를 통하여 전하이동도 10㎠/V.s공정온도 400℃인 반도체 잉크를 개발함
○ 용액공정용 고성능 절연체 소재 연구를 통하여 누설전류 1X10¹¹A/㎠ 절연파괴전압 3 MV/cm 내화학성 두께변화 < 2%, 전하이동도 1.7~1.9 ㎠V.s 무기반도체 적용시)인 절연체 소재를 개발함
○ 용액공정용 고성능 전도체 소재 연구를 통하여 비저항 μΩcm 공정온도 300℃인 구리나노잉크를 개발하고 터치스크린용 투명전극으로 응용하기 위하여 엔젯(주)와 기술실시계약을 체결함
○ 위탁연구를 통하여 반도체 전도체 잉크를 이용한 초미세 패터닝 공정 기술 (UNIST), 절연체/반도체 계면 특성 최적화 기술 (위탁-GIST) 개발을 통하여 용액공정의 핵심기술을 확보함

목차 Contents

• 2012년도 주요사업 연구결과보고서 (세부과제용) ... 1
• 1. 연구과제 개요 ... 1
• 2. 연구목표 ... 2
• 3. 주요 연구내용 ... 3
• 4. 주요 연구개발결과(연구개발목표의 달성도) ... 30
• 5. 활용분야 및 계획 ... 30
• 6. 기대효과 ... 30
• 7. 연구개발의 성과 및 성과활용 ... 31
• 8. 연구개발비 집행현황 ... 37
• 9. 참여 연구원 현황 ... 38
• 끝페이지 ... 38