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연합인증

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반도체 웨이퍼용 고온 AlN Hot Plate 개발 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 호서대학교 산학협력단
Hoseo University
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2013-06
과제시작연도 2012
주관부처 중소기업청
Small and Medium Business Administration
등록번호 TRKO201400027129
과제고유번호 1425074913
사업명 산학연 공동기술개발 지역사업
DB 구축일자 2014-11-14

초록 ▼

1. 최종목표
◦ Hot Plate에 적용 가능한 고온(400℃)에서 열 변형, 열 충격에 강하고 열전도율이 우수한 재질의 확보 및 검증
◦ 고온의 조건에서 열변형 및 단선의 염려가 없는 히팅소스 제작 방법의 개발
◦ 영역별 열량 및 Hot Plate 두께를 산출하여 영역별 히팅 소스를 배치하고 각 영역별 열용량을 결정하여 최적의 패턴 형상설계
◦ 고온에서 안정적으로 Hot Plate 온도를 정밀 제어하기 위해 필요한 고온용 센서의 구조 및 설치 방법 도출
2. 개발내용 및 결과
◦ Hot Plate

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 『산학연공동기술개발사업』 최종보고서 제출서 ... 2
  • 개발결과의견서 ... 3
  • 최종보고요약서 ... 4
  • 목차 ... 8
  • 제 1 장 서론 ... 9
  • 제 1 절 기술개발의 개요 및 필요성 ... 9
  • 제 2 절 관련 기술의 현황 ... 11
  • 제 2 장 과제개발 내용 및 방법 ... 13
  • 제 1 절 기술개발 목표 ... 13
  • 제 2 절 기술개발 내용 ... 13
  • 제 3 장 사업성과 ... 31
  • 제 1 절 기술적 성과 ... 31
  • 제 2 절 경제적 성과 ... 32
  • 제 4 장 결론 ... 32
  • 끝페이지 ... 32

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참고문헌 (25)

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