과제명
반도체 웨이퍼용 고온 AlN Hot Plate 개발
과제기간
2012
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보고서 상세정보
반도체 웨이퍼용 고온 AlN Hot Plate 개발
| 과제명 | 반도체 웨이퍼용 고온 AlN Hot Plate 개발 |
|---|---|
| 주관연구기관 |
호서대학교 산학협력단 Hoseo University |
| 보고서유형 | 최종보고서 |
| 발행국가 | 대한민국 |
| 언어 | 한국어 |
| 발행년월 | 2013-06 |
| 과제시작년도 | 2012 |
| 주관부처 | 중소기업청 Small and Medium Business Administration |
| 등록번호 | TRKO201400027129 |
| 과제고유번호 | 1425074913 |
| 사업명 | 산학연 공동기술개발 지역사업 |
| DB 구축일자 | 2014-11-14 |
연구과제
타임라인
초록
1. 최종목표
◦ Hot Plate에 적용 가능한 고온(400℃)에서 열 변형, 열 충격에 강하고 열전도율이 우수한 재질의 확보 및 검증
◦ 고온의 조건에서 열변형 및 단선의 염려가 없는 히팅소스 제작 방법의 개발
◦...
목차
Contents
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