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반도체 웨이퍼용 고온 AlN Hot Plate 개발

과제명 반도체 웨이퍼용 고온 AlN Hot Plate 개발
주관연구기관 호서대학교 산학협력단
Hoseo University
보고서유형 최종보고서
발행국가 대한민국
언어 한국어
발행년월 2013-06
과제시작년도 2012
주관부처 중소기업청
Small and Medium Business Administration
등록번호 TRKO201400027129
과제고유번호 1425074913
사업명 산학연 공동기술개발 지역사업
DB 구축일자 2014-11-14
연구과제
타임라인
▼
과제명
반도체 웨이퍼용 고온 AlN Hot Plate 개발
과제기간
2012
총연구비 ...
초록
▼

1. 최종목표
◦ Hot Plate에 적용 가능한 고온(400℃)에서 열 변형, 열 충격에 강하고 열전도율이 우수한 재질의 확보 및 검증
◦ 고온의 조건에서 열변형 및 단선의 염려가 없는 히팅소스 제작 방법의 개발
◦...

목차
Contents
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참고문헌

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