[보고서]전기장 유도기반 물성제어를 이용한 측정표준 및 기초연구

채동훈

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전기장 유도기반 물성제어를 이용한 측정표준 및 기초연구
Metrological Applications and Basic Research Using Field-Induced Phenomena 원문보기

보고서 정보
주관연구기관	한국표준과학연구원 Korea Research Institute of Standards and Science
연구책임자	채동훈
참여연구자	이형규 , Pradheesh Ramanchandran , 주성중 , 민길준
보고서유형	1단계보고서
발행국가	대한민국
언어	한국어
발행년월	2015-12
과제시작연도	2015
주관부처	미래창조과학부 KA
사업 관리 기관	한국표준과학연구원 Korea Research Institute of Standards and Science
등록번호	TRKO201600001262
과제고유번호	1711034530
DB 구축일자	2016-05-14
키워드	전해질 용액,전기장 유도,초전도 유도,전자주입,자성Ionic Liquid,Field Effect,Superconductivity,Electron Injection,Magnetism

초록

- 고전자밀도(>5x10¹⁵/cm² )구현 기술확보
- 전기장 유도 금속가변저항현상 구현
- 전기장 유도 초전도 제어 및 유도 기초기술 확보
- 전기장 유도 anomalous Hall effect 구현

Abstract

목차 Contents

표지 ... 1
제출문 ... 2
보고서 요약서 ... 3
요약문 ... 4
SUMMARY ... 5
CONTENTS ... 6
목차 ... 7
제 1 장 서 론 ... 8
제 2 장 전해질을 이용한 전기장 유도 ... 10
제 3 장 소자제작 및 측정 방법 ... 13
제 1 절 포토리소그래피를 이용한 소자 제작 ... 14
제 2 절 이빔리소그래피를 이용한 소자 제작 ... 18
제 3 절 전해질 용액 주입 ... 21
제 4 절 측정 방법 ... 22
제 4 장 금속에서의 전기장 유도 가변저항 실험 ... 23
제 1 절 금속에서의 전기장 유도에 의한 가역적인 저항변화 ... 23
제 2 절 금속에서의 비가역적인 Anodization ... 25
제 5 장 초전도 제어 및 유도 실험 ... 26
제 1절 초전도 전이온도 제어 ... 26
제 2절 비초전도체에서 초전도유도 실험 ... 30
제 3절 전기장 유도 전자밀도 균일도 조사 ... 32
제 6 장 자성제어 실험 ... 34
제 7 장 결론 ... 37
제 8 장 참고문헌 ... 38
끝페이지 ... 40

표/그림 (24)

표 유전체를 이용한 전기장 유도 소자
표 전해질을 이용한 이온게이팅 방법
표 포토리소그래피 공정 설명
표 포토리소그래피를 이용한 소자제작 예
표 기계적 박리 방법
표 이빔리소그래피를 이용한 소자 제작과정
표 실제소자의 광학사진과 개념도
표 금 박막(50 nm) 소자에서의 이온 게이팅에 의한 저항변화 데이터. 측정 온도 230 K.
표 저항변화값의 이해를 위한 고전적 모델
표 Nb84Si16에 대한 저항의 게이트 의존도(230 K에서 측정됨.)
표 (a) Nb 홀소자 광학현미경 사진 (b) 전해질 물질을 떨어뜨린 소자사진 (c)박막 두께에 따른 임계온도 (d) 전해질을 이용한 전기장유도 소자 모식도
표 전해질을 이용한 전기장 유도에 따른 Nb 박막의 저항변화
표 (a)게이트 값에 따른 온도에 따른 저항 변화 (b)게이트값에 따른 초전도 임계온도 변화
표 게이트 값에 따른 전류-전압 그래프
표 MgB2에서 화학적 도핑방법을 이용한 초전도 전이온도 제어
표 (a) 이붕화마그네슘 소자 광학사진. (b) 게이트값에 따른 초전도 전이현상.
표 (a) 게이트 값에 대한 저항의 온도의존도, 안쪽 그림은 소자사진 (b) 그림(a)의 게이트값 6 V에대한 저항의 온도의존도.
표 (a) 외부자기장에 따른 저항의 온도의존도. (b) 1.8 K 온도에서 저항의 외부자기장 의존도.
표 (a) 게이트에 따른 Raman shift. (b) A1g peak의 위치와 넓이의 게이트 의존도.
표 (a) 광학현미경 사진. (b) A1g peak 위치에 대한 Raman map (게이트값:1 V).
표 게이트값에 따른 저항변화. 그래프안 소자그림.
표 자기장에 따른 Rxy 변화량
표 각도에 따른 홀저항 측정 변화량
표 MBE로 성장된 Pd 박막소자 저항값의 이온게이트 의존도

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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