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Kafe 바로가기주관연구기관 | (주)월덱스 |
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연구책임자 | 정재극 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2014-06 |
과제시작연도 | 2013 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201600017069 |
과제고유번호 | 1415129478 |
사업명 | 글로벌전문기술개발(주력,신산업) |
DB 구축일자 | 2017-09-20 |
키워드 | 반도체.전극.진공척.세라믹 히터. |
3. 개발결과 요약
최종목표
차세대(18“)반도체 생산용 초정밀 Cathode, Wafer Holder, Track & CVD 공정용 AlN Heater 개발
개발내용 및 결과
• 반도체 Plasma Etching 공정용 18“ Cathode
- 18″ Cathode 형상설계 완료
- Silicon 저항 안정화 기술개발 완료 1~10 Ω㎝
- 미세 홀 가공기술 개발 완료
- Cylinderical Bolt Slot 가공기술 및 체결방법 개발 완료
인장강도 > 80 Kgf
3. 개발결과 요약
최종목표
차세대(18“)반도체 생산용 초정밀 Cathode, Wafer Holder, Track & CVD 공정용 AlN Heater 개발
개발내용 및 결과
• 반도체 Plasma Etching 공정용 18“ Cathode
- 18″ Cathode 형상설계 완료
- Silicon 저항 안정화 기술개발 완료 1~10 Ω㎝
- 미세 홀 가공기술 개발 완료
- Cylinderical Bolt Slot 가공기술 및 체결방법 개발 완료
인장강도 > 80 Kgf
- Silicon 정밀 가공기술개발 완료 Ra 0.02㎛ 이하
- 세정기술 개발 완료 2ppm 만족
• 반도체 Lithography 공정용 18“ Wafer Holder
- 18“ Wafer Holder Ring + Pin Type 형상설계 완료
Wafer 접촉면적 <8%
- 정밀 샌딩기술 개발 완료 Embo 직경 < ø3mm,
Embo Height 0.2±0.01mm
- 고정밀 폴리싱 기술개발 및 측정기술 개발 완료
두께공차 ±0.03mm
• 반도체 Track & CVD 공정용 18“ AlN Heater
- 18“ Track & CVD 공정용 AlN Heater 형상설계 완료
- AlN 소재 제조안정화기술개발 완료 2~5 Ω
- AlN Heater 제품의 열전도도 최적화 기술개발 150 W.mK
- 최적의 Micro Dimple 가공 기술개발 완료 20 ㎛
- 정밀 평탄도 가공 기술 확립 Track : 0.05mm, CVD : 0.02mm
기술개발 배경
- 국내 반도체 산업은 전 세계 반도체 시장의 12%를 차지하고 미국, 일본에 이어 세계 3위의 반도체 생산국이지만 반도체장비 및 핵심부품의 경쟁력은 매우 취약하다. 또한 삼성, 인텔, TSMC 반도체 Global Big 3 사가 업계 최초로 차세대 wafer를 18“(450mm)로 선언하였다. 이는 단순히 웨이퍼의 크기가 배로 늘어나는 것이 아닐 반도체 설계에서부터 설비, 부품, 재료, 기술에 이르기까지 모든 반도체 기술의 패러다임이 바뀐다는 것을 의미한다. 따라서 이러한 산업적 트랜드 요구에 부합함과 동시에 향후 국내 반도체 산업의 취약한 핵심부품의 앞선 개발을 통한 해외 의존도 탈피는 국내 관련 산업을 지탱할 수 있는 핵심기술이라 할 수 있다. 당사는 이러한 기술개발 배경을 바탕으로 반도체 핵심부품의 기둥인 Plasma Etching 공정용 18” Cathode, Lithography용 18“ Wafer Holder, 18” AlN Track Heater, 18“ AlN CVD Heater 를 개발하고자 한다.
핵심개발 기술의 의의
- 반도체 장비 및 재료 분야에서는 제조기술의 핵심으로 역할이 증대되고 있으며, 선발 선진기업들(반도체 핵심부품 및 장비제조사, AM/TEL/ASML/CANON 등)은 반도체 장비 및 재료 부품 핵심제조기술을 무기로 후발 경쟁 국가들의 견제도구로 사용하고 있다. 이에 반도체 업체들은 미래 시장의 선점을 위하여 미래제품군으로의 전환을 추진 중에 있다. 또한 세계 각국은 반도체를 기간산업으로 인식하여 제조환경을 재정비하고 미래 신반도체 선점을 위해 국가적인 차원에서 전략적인 투자를 진행하고 있다. 따라서 본 사업을 통한 핵심부품의 앞선 기술개발은 향후 반도체 경쟁국과의 격차를 키우고 나아가 관련 핵심장비 국산화 개발의 근간이 되는 기술적 의의가 있다.
적용 분야
• 반도체 Plasma Etching 공정
• 반도체 Lithography 공정
• 반도체 CVD 공정
• 본 과제를 통해 개발되는 Silicon, AlN, RB-SiC와 같은 첨단 세라믹을 응용하여 화학산업, 의료산업, IT산업을 비롯해 다양한 기계부품, 전기전자 부품으로의 활용도가 폭넓게 이루어지리라 판단됨
(출처 : 기술개발사업 최종보고서 초록)
과제명(ProjectTitle) : | - |
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연구책임자(Manager) : | - |
과제기간(DetailSeriesProject) : | - |
총연구비 (DetailSeriesProject) : | - |
키워드(keyword) : | - |
과제수행기간(LeadAgency) : | - |
연구목표(Goal) : | - |
연구내용(Abstract) : | - |
기대효과(Effect) : | - |
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