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연합인증

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IC substrate용 저열팽창계수 및 저유전률 에폭시 소재 개발

보고서 정보
주관연구기관 (주)신아티앤씨
연구책임자 최호경
참여연구자 이은용 , 류이열 , 나재식 , C.C.Lee
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2015-10
과제시작연도 2014
주관부처 산업통상자원부
Ministry of Trade, Industry and Energy
등록번호 TRKO201600017863
과제고유번호 1415136167
사업명 소재부품기술개발
DB 구축일자 2017-09-20
키워드 저열팽창 계수.저유전상수.에폭시 수지.반도체 기판.

초록

최종목표
-. 저열팽창계수 및 저유전 상수를 지닌 에폭시 수지 개발
-. 저유전상수를 지닌 유,무기 필러 개발
-. IC substrate용 하이브리드 소재 개발
-. IC 기판에 적용할 수 있는 저열팽창 계수 및 저유전상수를 지닌 에폭시 소재 개발하여 수요기업이 적용될 수 있도록 하는 데 있음.

개발내용 및 결과
신규구조의 저열팽창 계수를 지닌 에폭시 수지 및 저유전상수를 지닌 에폭시 수지를 개발하였으며, 이를 이용하여 최종 두가지 특성을 극대화한 하이브리드 에폭시 수지를 개발하여 IC 기판

목차 Contents

  • 표지 ... 1제 출 문 ... 2기술개발사업 최종보고서 초록 ... 3기술개발사업주요연구성과 ... 7목차 ... 10제 1 장 서론 ... 11 제 1 절 과제의 개요 ... 11제 2 장 과제 수행의 내용 및 결과(기술개발 내용 및 방법) ... 17 제 1 절 최종 목표 및 평가 방법 ... 17 제 2 절 단계 목표 및 평가 방법 ... 18 제 3 절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ... 20 제 5 절 유형적 발생품(연구시설, 연구장비 등) 구입 및 관리 현황 ... 130제 3 장 결과 및 사업화 계획 ... 131 제 1 절 연구개발 최종 결과 ... 131 1. 연구개발 추진 일정 ... 131 2. 연구개발 추진 실적 ... 131 3. 기술개발 결과의 유형 및 무형 성과 전체를 기재 ... 134 제 2 절 연구개발 추진 체계 ... 135 제 3 절 시장 현황 및 사업화 전망(당초 기술개발 시작 시점의 조사와 변화된 것 위주로 기술) ... 136 제 4 절 고용 창출 효과 ... 139 제 5 절 자체보안관리진단표 ... 139부 록 : 시험성적서, 도면, 설계도 등 ... 140끝페이지 ... 157

표/그림 (158)

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참고문헌 (25)

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