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Kafe 바로가기주관연구기관 | (주)에프에스티 |
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연구책임자 | 박돈원 |
참여연구자 | 최준용 , 이종명 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2015-10 |
과제시작연도 | 2014 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201600018061 |
과제고유번호 | 1711017659 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2017-09-20 |
키워드 | 열처리.스크라이브 라인.정렬 키.비정질.정질.소광계수.흡수도. |
□ 최종목표
ㅇ 1x/2x nm급 반도체 공정에서 요구하는 회로패턴의 Misalign을 개선할 수 있는 Ultrafast thermal treatment 방식을 이용한 스크라이브 라인내 Align key의 국소 면적만을 열처리 할 수 있는 장비 개발
ㅇ High throughput을 위한 고성능 Stage개발[Throughput 18매(800Point)/hr]
ㅇ 웨이퍼 온도 측정 및 레이저 출력 피드백 제어 기술 확보
□ 개발내용 및 결과
ㅇ High power laser를 이용하여 직접 스크라이
□ 최종목표
ㅇ 1x/2x nm급 반도체 공정에서 요구하는 회로패턴의 Misalign을 개선할 수 있는 Ultrafast thermal treatment 방식을 이용한 스크라이브 라인내 Align key의 국소 면적만을 열처리 할 수 있는 장비 개발
ㅇ High throughput을 위한 고성능 Stage개발[Throughput 18매(800Point)/hr]
ㅇ 웨이퍼 온도 측정 및 레이저 출력 피드백 제어 기술 확보
□ 개발내용 및 결과
ㅇ High power laser를 이용하여 직접 스크라이브 라인 지역에 있는 오버레이 박스 부분의 비정질 막질의 투과도를 개선 가능한 장비 제작(WLA-6000)
ㅇ High power Laser로 열처리한 결과 박막의 응력 때문에 왜곡 또는 균열이 생길 수 있는 현상을 미리 Pre-heating하여 박막의 스트레스 현상을 방지하며, 웨이퍼 온도 측정 및 Laser 출력 피드백 제어 기술 확보
□ 기술개발 배경
ㅇ 반도체분야에 있어서는 1x/2x nm급 반도체 소자의 고집적화 추세에 따라, 설계의 한계를 넘어 패턴간의 오정렬이 발생하게 되며, 이는 전기적 특성의 열화, 오작동의 부작용을 야기할 수 있어 비정질 막을 Laser 열처리로 결정화 하는 장비의 필요성이 높아지고 있는 추세
□ 핵심개발 기술의 의의
ㅇ High power laser의 특성화된 빔 형상을 이용한 비정질실리콘의 국소 면적 열처리 기술 공정 및 장비 개발
ㅇ High throughput을 위한 고성능 Stage개발로 마련된 제조 기술을 다양한 분야로 활용 가능(반도체, 디스플레이, PCB 분야)
ㅇ 웨이퍼 온도 측정 및 Laser 출력 피드백 제어 기술 확보
ㅇ 개발된 장비를 반도체 제조 공정에 도입함으로써 앞으로 있을 수입 대체 효과
□ 적용 분야
ㅇ 1x/2x nm급 웨이퍼 노광공정에 대응할 수 있는 스테이지 제어 기술 개발은 초정밀 기술로써 자동제어가 필요한 많은 분야에 파급효과가 있음
ㅇ 본 과제의 기술과 직접적인 연관이 있는 Material processing은 반도체 제조, 평판디스플레이, 태양전지, 제약기술 등이 있으며 이러한 분야에 응용이 가능함
(출처 : 초록)
과제명(ProjectTitle) : | - |
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연구책임자(Manager) : | - |
과제기간(DetailSeriesProject) : | - |
총연구비 (DetailSeriesProject) : | - |
키워드(keyword) : | - |
과제수행기간(LeadAgency) : | - |
연구목표(Goal) : | - |
연구내용(Abstract) : | - |
기대효과(Effect) : | - |
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