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뇌 기능을 모방한 저전력 뉴로모픽 시냅스 소재 및 소자 개발
Brain-inspired Low-power Neuromorphic Synaptic Devices: From Material Synthesis to Device Applications 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국재료연구원
Korea Institute of Materials Science
연구책임자 조병진
참여연구자 김아라 , 김용훈 , 최선영
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2017-01
과제시작연도 2016
주관부처 미래창조과학부
Ministry of Science, ICT and Future Planning
등록번호 TRKO201700000036
과제고유번호 1711045229
사업명 재료연구소연구운영비지원
DB 구축일자 2017-09-20
키워드 뉴로모픽.시냅스 소자.저전력.Neuromorphic.Synapse device.Low-power.
DOI https://doi.org/10.23000/TRKO201700000036

초록 ▼

1. 시냅스터 소자를 구성하는 채널, 전극 및 전하 trapping용 2D 소재 합성
ㅇ 스위칭 특성을 잘 발현시킬 수 있는 고품위의 2D 반도체 소재 합성 (MoS2, WSe2)
ㅇ 시냅스터 소자의 스파이크 전류를 유도시키는 charge trapping용 2D 소재 개발
ㅇ 시냅스터 소자의 전극용 2D 금속 소재 합성

2. 시냅스터 소자의 채널과 전극 간 계면 물성 연구
ㅇ 2차원 반도체 채널과 금속성 전극 소재 최적화

3. 2차원소재 기반 시냅

Abstract ▼

Ⅳ. Research results
(1) Physical characterization of 2D heterostructured interface
(2) Paper publication "The influence of interfacial tensile strain on the charge transport characteristics of MoS2-based vertical heterojunction devices" 8,17598, 2016
(3) Research achievement introduced on m

목차 Contents

  • 표지 ... 1제 출 문 ... 2보고서 초록 ... 3요 약 문 ... 4SUMMARY ... 5CONTENTS ... 6제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 8 제 1 절 연구 추진 계획 ... 8 제 2 절 연구개발의 필요성 ... 9제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 11 제 1 절 기술성 분석 ... 11 제 2 절 경제성 분석 ... 13제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 14 제 1 절 시냅스터 소자를 구성하는 채널, 전극 및 전하 trapping용 2D 소재 합성 ... 14 제 2 절 시냅스터 소자의 채널과 전극 간 계면 물성 연구 ... 16 제 2 절 차원소재 기반 시냅스터 소자의 전기적 특성 평가 ... 18제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 19 제 1 절 2015년 연구개발 목표달성 실적 및 사업추진 진척도 ... 19 제 2 절 연구결과 기대성과 ... 21 제 3 절 기대효과 ... 21제 5 장 연구개발결과의 활용계획 ... 21 제 1 절 연구성과 활용계획 ... 21 제 2 절 향후 연구결과 활용 및 차년도 계획 ... 21 제 3 절 연구수행에 따른 문제점 및 개선방향 - 필요시 ... 22제 6 장 참고문헌 ... 22끝페이지 ... 23

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참고문헌 (25)

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