초록 ▼

최종목표
1. PRAM
o 상온 안정성을 갖는 GST ALD용 전구체 및 공정 개발
o 60nm 급의 매립형 하부 전극 컨택을 갖는 PRAM 단위 소자 공정 개발
2. ReRAM
o 저항 변화 소자용 TiO₂, NiO, TaO_x, HfO_x 박막의 ALD 공정 및 Precursor 개발
o 3차원 ReRAM 소자공정에 적합한 ALD 증착 공정의 개발
- End Product
o 60nm 하부전극 컨택 PRAM 소자
o NiO 및

최종목표
1. PRAM
o 상온 안정성을 갖는 GST ALD용 전구체 및 공정 개발
o 60nm 급의 매립형 하부 전극 컨택을 갖는 PRAM 단위 소자 공정 개발
2. ReRAM
o 저항 변화 소자용 TiO₂, NiO, TaO_x, HfO_x 박막의 ALD 공정 및 Precursor 개발
o 3차원 ReRAM 소자공정에 적합한 ALD 증착 공정의 개발
- End Product
o 60nm 하부전극 컨택 PRAM 소자
o NiO 및 TaO_x, HfO₂ 계열 3D ReRAM 소자

개발내용 및 결과
1. PRAM
99% 이상의 단차피복성을 갖는 GST 박막의 원자층 증착법을 개발.
50nm급 소자 제작 공정에 응용하여 우수한 전기적 특성 확보

기술개발 배경
1. PRAM
상변화 메모리의 상용화를 위해서는 저전력 소모, 고집적 소자의 개발이 불가피하며 그를 위해 3차원 구조에 적용 가능한 원자층 증착법이 필수적임.
2. ReRAM
Mass storage memory로의 적용을 위해 저전력 구동 및 소자의 고집적화가 필수적으로 요구되고 있으며, 3차원 수직 적층형 cross bar array 구조의 구현에 적합한 ALD 공정 개발이 필요함.

핵심개발 기술의 의의
1. PRAM
세계적으로 성공사례가 없는 Ge-Sb-Te 삼성분계 물질의 원자층 증착법을 성공적으로 국내에서 개발하였으며, 이 기술은 3차원 구조의 소자 제작을 가능케 하여 고집적 소자 생산 시기를 앞당김. 또한 해당 공정을 가능케 한 전구체 개발 기술은 참여기업에 이전되어 수익창출이 예상됨.
2. ReRAM
전이금속 산화물 기반 저항변화 메모리 소자 중 세계적으로 연구 개발정도가 미비하였던 NiO 박막의 ALD 공정을 새롭게 개발한 전구체를 이용하여 개발하였으며, 3차원 구조의 메모리 소자 공정에 적용 가능할 수 있을 정도의 단차피복성과 두께 및 조성 균일도를 확보하였음. 개발된 증착법을 적용한 cross bar array 소자의 안정적인 동작 특성을 확보함으로써 차세대 tera-bit 급 비휘발성 메모리 소자 개발을 위한 기반 기술 공정에 대한 선진적인 기술력을 선점함.

적용 분야
- 고집적 비휘발성 PRAM 메모리 소자 제작
- NAND 플래시 메모리를 대체할 고집적 비휘발성 ReRAM 메모리 소자 개발
- 저항변화 특성을 응용하여 SRAM을 대체할 FPGA(Field Programmable Gate Array) 용 스위치 소자
(출처 : 기술개발사업 최종보고서 초록)

목차 Contents

• 표지 ... 1제 출 문 ... 2기술개발사업 최종보고서 초록 ... 3기술개발사업 주요 연구성과 ... 10목차 ... 18제1장 서론 ... 19 제1절 개발 대상 기술의 개요 ... 19 제2절 국내 ․ 외 관련 기술의 현황 ... 25 제3절 기술개발 시 예상되는 기술적 ․ 경제적 파급 효과 ... 46제2장 과제 수행의 내용 및 결과 ... 48 제1절 최종 목표 및 평가 방법 ... 48 제2절 단계 목표 및 평가 방법 ... 53 제3절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ... 56 제4절 수행 결과의 보안등급 ... 102 제5절 유형적 발생품(연구시설, 연구장비 등) 구입 및 관리 현황 ... 102제3장 결과 및 사업화 계획 ... 103 제1절 연구개발 최종 결과 ... 103 제2절 연구개발 추진 체계 ... 109 제3절 시장 현황 및 사업화 전망 ... 114 제4절 고용 창출 효과 ... 117 제5절 자체보안관리진단표 ... 118끝페이지 ... 119