초록 ▼

반도체 공정의 발전으로 에너지를 가진 입자에 의한 실리콘 반도체 상의 메모리 및 논리 회로 소자에 치명적인 오류 (Soft Error)를 야기한다. 이는 입자가 실리콘을 통과하며 발생된 전자-정공 쌍 (electron-hole pair, EHP)이 역전압 (reverse biased) 상태의 P-N 정션을 통과하며 전류 노이즈를 발생시키기 때문이며, 이를 해결하기 위하여 SOI (Silicon Oxide Insulator) 공정과 같은 새로운 공정을 개발하기에 이르렀다.
이러한 양성자 및 중성자에 의해 발생하는 EHP의 측정

반도체 공정의 발전으로 에너지를 가진 입자에 의한 실리콘 반도체 상의 메모리 및 논리 회로 소자에 치명적인 오류 (Soft Error)를 야기한다. 이는 입자가 실리콘을 통과하며 발생된 전자-정공 쌍 (electron-hole pair, EHP)이 역전압 (reverse biased) 상태의 P-N 정션을 통과하며 전류 노이즈를 발생시키기 때문이며, 이를 해결하기 위하여 SOI (Silicon Oxide Insulator) 공정과 같은 새로운 공정을 개발하기에 이르렀다.
이러한 양성자 및 중성자에 의해 발생하는 EHP의 측정 연구를 통하여 실제 전류가 얼마나 발생하는지 여부 및 이를 통한 실제 반도체 회로상에서의 노이즈 삽입 (Noise Injection) 등을 통하여 공정 등에 따라 달라지는 Noise 에 대한 데이터베이스를 구축할 수 있다.
(출처 : 보고서 요약서 3P)

Abstract ▼

Ⅳ. Result
1. High-Energy Proton Test in Semiconductor
(1) Test Platform Setup
Development of measuring hardware for current in silicon from high-energy Proton
Development of measuring method for electron-hole pair by simulation
(2) Collection of Semiconductor Failure Data using Proto

Ⅳ. Result
1. High-Energy Proton Test in Semiconductor
(1) Test Platform Setup
Development of measuring hardware for current in silicon from high-energy Proton
Development of measuring method for electron-hole pair by simulation
(2) Collection of Semiconductor Failure Data using Proton
Measuring current on Silicon using High-energy Proton

2. Test Data Analysis and Model
(1) Failure Mechanism analysis and research using Semiconductor
test data
Data comparing TCAD simulation with experiment result
(2) Proton/Semiconductor Interaction Characteristic Analysis
Finding weak point on the circuit and soft-error occur by Hspice simulation
(3) Evaluation and data analysis of semiconductor performance factors
Evaluation of error analysis at semiconductor dependence on Proton irradiation points and bias voltage
(출처 : SUMMARY 9P)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 보고서 요약서 ... 3
• 요 약 문 ... 5
• SUMMARY ... 8
• CONTENTS ... 11
• 목차 ... 12
• 제1장 연구개발과제의 개요 ... 13
• 제2장 국내외 기술개발 현황 ... 16
• 제3장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 18
• 제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 20
• 제1절 기술적 측면 ... 20
• 제2절 경제적·산업적 측면 ... 20
• 제5장 연구개발결과의 활용계획 ... 22
• 제1절 학술활동 및 지적재산권 계획 ... 22
• 제2절 인력양성 계획 ... 22
• 제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 23
• 제7장 참고문헌 ... 23
• 끝페이지 ... 24