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NTIS 바로가기주관연구기관 | 세종대학교 Sejone university |
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연구책임자 | 엄종화 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-11 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201700014600 |
과제고유번호 | 1345239939 |
사업명 | 이공학개인기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2017-11-13 |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201700014600 |
■ 적층형 질화붕소/그래핀 트랜지스터 소자 제작 및 전기적 특성 연구
● 대면적 CVD-성장 그래핀을 실리콘 기판위로 전사시킨 뒤, 포토리소그래피를 이용하여 5 μm 선폭의 그래핀 선을 제작함
● 제작된 그래핀 선위로 질화붕소(h-BN) flake를 원하는 위치에 전사시키는 기술 개발 완료
● h-BN 박막위에 drain 전극으로서 Cr/Au (5/30nm)전극을 제작하여 적층형 graphene/h-BN/(Cr/Au) 터널링 소자 제작
● I-V특성에서의 threshold voltage는 두꺼운 h-BN으로 만
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