초록 ▼

1단계: 전자빔 조사를 통한 산화물 반도체 박막의 비저항 감소
▷ DC magnetron sputtering으로 산화물 및 금속 박막 저온 증착 공정 확립
: 비정질 InGaZnO (a-IGZO) 산화물과 Mo, Cu, Al의 금속 박막 증착
▷ 전자빔 조사를 통한 산화물 반도체 박막의 n+ semiconductor region 형성
: 전자빔 조사 처리 조건별 산화물 반도체 박막의 electron doping효과 관찰

2단계: 전자빔 조사를 통한 산화물/금속 계면의 trap, 결함(defect)

1단계: 전자빔 조사를 통한 산화물 반도체 박막의 비저항 감소
▷ DC magnetron sputtering으로 산화물 및 금속 박막 저온 증착 공정 확립
: 비정질 InGaZnO (a-IGZO) 산화물과 Mo, Cu, Al의 금속 박막 증착
▷ 전자빔 조사를 통한 산화물 반도체 박막의 n+ semiconductor region 형성
: 전자빔 조사 처리 조건별 산화물 반도체 박막의 electron doping효과 관찰

2단계: 전자빔 조사를 통한 산화물/금속 계면의 trap, 결함(defect) 완화
▷ 전자빔 조사를 통한 산화물 박막의 broken bond, impurity 형성 억제
: 저온 증착 중 발생한 산화물 박막의 trap sites로 작용하는 broken bond와 impurity를 전자빔 처리로 억제 후 계면 결함을 개선

3단계: 박막 트랜지스터 소자 측정을 통한 전자빔 조사 효과 관찰
▷ 전자빔 조사 처리된 박막 트랜지스터 소자 측정
: 전자 빔 조사 처리된 박막 트랜지스터의 소자 측정으로 접촉저항 개선 여부를 확인 및 이에 따른 소자특성 향상 원인을 규명

( 출처 : 요약서 3p )

Abstract ▼

1. Purpose
• Power consumption reduction for large area of next generation display panel
• Electron beam irradiation on large area process for decreasing contact resistance between oxide semiconductor/metal electrode
▷ Confirmation of the n+ doped region and electron doping effect caused by

1. Purpose
• Power consumption reduction for large area of next generation display panel
• Electron beam irradiation on large area process for decreasing contact resistance between oxide semiconductor/metal electrode
▷ Confirmation of the n+ doped region and electron doping effect caused by ebeam irradiation.
▷ After checking the resistance reduction of oxide semiconductor, controlling defects and impurities of the semiconductor/Metal interface.
▷ Device properties enhancement by reducing contact resistance.

2. Contents
1^st step: Oxide semiconductor resistivity reduction by ebeam irradiation
▷ Oxide and metal thinfilm deposited by DC magnetron sputtering at low temperature
: ZnO, ZnSnO(ZTO), InGaZnO(IGZO) oxides and Mo, Cu, Al film deposition
▷ n+ doped region formation of oxide semiconductor by ebeam irradiation
: According to the condition of e-beam irradiation, observe the electron doping effect on the oxide semiconductor thin-film.

2^nd step: Interface trap and defect mitigation using ebeam irradiation
▷ Restrain the broken bonds and impurity formation on oxide thin film
: Broken bonds and impurities occurred during the lowtemperature deposition are suppressed by ebeam treatment and are improved interface defects.

3^rd step: Confirmation of ebeam irradiation effect through measurement of thin-film transistor device
▷ Measurement of thin-film transistor device that e-beam treated
: Confirmation of improvement of contact resistivity by measuring a properties.of thinfilm transistor device that ebeam treated.

3. Expected contribution
• It is possible to develop a large area treatment process using ebeam irradiation for the next generation display panel
• Through the large area surface treatment process, pioneering applications of surface treatment process using various beam type
▷ Ebeam irradiation process can be applied the applications or academic.
▷ It is possible to replace the part of conventional silicon-based IC market with the transparent logic devices.

( 출처 : SUMMARY 8p )

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 보고서 요약서 ... 3
• 요 약 문 ... 5
• SUMMARY ... 8
• CONTENTS ... 9
• 목차 ... 10
• 제1장 연구개발과제의 개요 ... 11
• 가. 연구기술개발의 필요성 ... 11
• 나. 연구개발대상 기술의 경제적·산업적 중요성 및 연구개발의 필요성 ... 13
• 제2장 국내외 기술개발 현황 ... 15
• 가. 국외 기술 현황 ... 15
• 나. 국내 기술 현황 ... 16
• 제3장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 18
• 가. 연구 목표 및 연차점검의 주요 착안점 ... 18
• 나. 연구범위 및 연구수행 방법 ... 19
• 다. 연구수행 내용 및 결과 ... 22
• 제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 35
• 제5장 연구개발결과의 활용계획 ... 36
• 가. 당해연도 활용계획 ... 36
• 나. 활용방법 ... 36
• 다. 기대효과 ... 37
• 제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 38
• 7장 참고문헌 ... 39
• 대표성과기술서 ... 40
• 끝페이지 ... 44