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보고서 상세정보

위상학적 절연체 및 강유전체를 이용한 10nm 이하급 CMOS Extension 기술 연구

Study of Sub-10-nm CMOS Extension Technology using topological insulators and ferroelectric materials

과제명 위상학적 절연체 및 강유전체를 이용한 10nm 이하급 CMOS Extension 기술 연구
주관연구기관 서울시립대학교
Korea Forest Research Institute
보고서유형 최종보고서
발행국가 대한민국
언어 한국어
발행년월 2017-11
과제시작년도 2016
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO201800003109
과제고유번호 1711043109
사업명 개인연구지원
DB 구축일자 2018-04-14
키워드 실리콘 소자.반도체 소자.저전력.위상학적 절연체.강유전체.스팁스위칭.씨모스 기술.Silicon Device.Semiconductor Device.Low Power.Topological Insulator.Ferroelectric Material.Steep Switching.CMOS Technology.
DOI https://doi.org/10.23000/TRKO201800003109
초록

연구의 목적 및 내용

Negative capacitance라는 새로운 개념을 CMOS gate stack에 도입함으로써, thermionic emission mechanism을 가진 기존 silicon CMOS devic...

Abstract

Purpose & contents

A study to overcome the physical limit of thermionic emission process in CMOS devices is to be performed...

표 / 그림 (47)