초록 ▼

핵심기술
- 고순도 TaC Coating 기술

최종목표
-불순물 농도 2ppm이하의 공정조건 확보
-평균증착두께 40㎛ 공정조건 확보
-Ø220 * H200의 graphite 도가니에 코팅조건 확보
-Ar분위기에서 변온속도 5℃/min로 2200℃까지 승온 78g/cm2, 7.5일/2cycle 노출 시 박리현상이 없음

개발내용 및 결과
- CVD법을 통한 사파이어, SiC 단결정 성장용 도가니 및 서셉터 개발을 위해 TaC 코팅에 필요한 장비 및 코팅방법에 대한 연구들을 진

핵심기술
- 고순도 TaC Coating 기술

최종목표
-불순물 농도 2ppm이하의 공정조건 확보
-평균증착두께 40㎛ 공정조건 확보
-Ø220 * H200의 graphite 도가니에 코팅조건 확보
-Ar분위기에서 변온속도 5℃/min로 2200℃까지 승온 78g/cm2, 7.5일/2cycle 노출 시 박리현상이 없음

개발내용 및 결과
- CVD법을 통한 사파이어, SiC 단결정 성장용 도가니 및 서셉터 개발을 위해 TaC 코팅에 필요한 장비 및 코팅방법에 대한 연구들을 진행하였고 최적화된 TaC 코팅 조건을 확보

- TaC 소재 내의 불순물 함량관련 코팅설비 개선을 통하여 불순물 2ppm 이하 조건 확보
- 대면적 소재 및 대구경 Crucible 형상 코팅을 위한 장입 조건 등에 대한 TEST를 통해 균일한 코팅할 수 있는 조건 확보

- TaC의 열적 내구성 및 Mo과의 이형성 TEST결과 박리 및 이형성에도 문제가 없음 확인

기술개발 배경
- 사파이어 잉곳 성장을 위한 공정온도가 2200℃로 높기 때문에 금속(Mo)도가니와 흑연(Graphite)도가니가 반응하여 공정 후 분리되지 않아 분리가 용이한 소재 개발 필요

- SiC epi 공정시, 기존에 상용화된 SiC 코팅 경우 고온에서 SiC 자체의 식각으로 인한 불순물 오염을 야기시켜 고온에서 안정적이며 내열충격이 높은 소재가 요구됨.

- SiC 단결정 경우 2000℃ 이상의 공정온도가 필요하고 그에 따라 초고온에서 견딜 수 있는 신규소재 코팅기술 필요.

핵심개발 기술의 의의
- 고부가가치 초고순도 TaC 소재는 기술 선진국으로부터 전량 수입에 의존하고 있기 때문에 미래 국가 경쟁력 향상 및 국가 기간산업의 세계 경쟁력 유지

- 원천 기술 불모지나 다름없는 국내 초고순도 TaC 소재 및 부품 산업 기술 개발을 통하여, 국가 기간산업인 반도체, 디스플레이 및 원자력 관련 분야 등 수요산업의 미래 경쟁력 제고 및 국내 소재 산업의 활성화라는 상호 시너지 효과가 기대될 수 있음

적용 분야
- SiC epi 설비 및 사파이어 잉곳 성장 설비의 susceptor/도가니의 소재로 적용이 가능하며, 본 소재의 개발시 고온에서 사용되는 다양한 분야의 부품으로 적용 가능

(출처 : 최종보고서 초록 4p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 기술개발사업 최종보고서 초록 ... 3
• 기술개발사업 주요 연구성과 ... 7
• 목차 ... 12
• 제 1 장 서론 ... 13
• 제 1 절 과제의 개요 ... 13
• 제 2 장 과제 수행의 내용 및 결과 ... 15
• 제 1 절 최종 목표 및 평가 방법 ... 15
• 제 2 절 단계 목표 및 평가 방법 ... 16
• 제 3 절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ... 16
• 제 4 절 유형적 발생품(연구시설, 연구장비 등) 구입 및 관리 현황 ... 19
• 제 3 장 결과 ... 20
• 제 1 절 연구개발 최종 결과 ... 20
• 1. 연구개발 추진 일정 ... 20
• 2. 연구개발 추진 실적 ... 23
• 제 2 절 연구개발 추진 체계 ... 47
• 1. 각 기관/기업별 역할 및 추진 내역 ... 47
• 제 3 절 고용 창출 효과 ... 48
• 제 4 절 자체보안관리진단표 ... 49
• 제 4 장 사업화 계획 ... 50
• 제 1 절 시장 현황 및 전망 ... 50
• 제 2 절 사업화 계획 ... 51
• 제 3 절 향후 추가 기술 개발 계획 ... 51
• 끝페이지 ... 51