초록 ▼

Ⅳ. 연구결과
펄스 레이저다이오드 개발
- 광밴드폭 확장을 위한 회절격자 최적화
- 4nm 광밴드폭 구현 (25GHz 모드 간격, 20개 모드)
- 높은 k 구현을 위한 상부 회절격자 사용의 필요성 확인

좁은 선폭을 가지는 광원개발
- 좁은 선폭 구현을 위한 회절격자, 활성층 구조 설계
- SNR 60dB 이상의 DFB 구현

광빗살발생기 구현 및 집적구도 연구
- MLLD의 밴드폭 확장을 위한 위상변조기를 MLLD 주파수의 정수배 구동 전산모사
- 안정적인 광빗살

Ⅳ. 연구결과
펄스 레이저다이오드 개발
- 광밴드폭 확장을 위한 회절격자 최적화
- 4nm 광밴드폭 구현 (25GHz 모드 간격, 20개 모드)
- 높은 k 구현을 위한 상부 회절격자 사용의 필요성 확인

좁은 선폭을 가지는 광원개발
- 좁은 선폭 구현을 위한 회절격자, 활성층 구조 설계
- SNR 60dB 이상의 DFB 구현

광빗살발생기 구현 및 집적구도 연구
- MLLD의 밴드폭 확장을 위한 위상변조기를 MLLD 주파수의 정수배 구동 전산모사
- 안정적인 광빗살 구현 및 집적구도를 위한 패키징

GaN-Diamond Template 기술 연구
- Nano-diamond의laser patterning을 통해 350m급 GaN-Diamond Template 구현시 thermal stress 최소화
- SiC interalyer를 CVD 성장하여, Diamond의 박리현상 제거
- 증착된 Diamond에서 10.5W/cmK 최대열전도도 확보

GaN-Diamond 소자 기술 연구
- GaN-Diamond SBD 소자 제작 및 TO-220 패키징 진행
- GaN-Diamond SBD에서 3.58V에서 10A 전류용량 확인
- 적외선 카메라를 통한 방열특성 조사 진행

고성능 p형 산화물반도체 TFT
- 용액 공정법기반의 KTO 산화물소재로 박막트랜지스터 제작 및 세계최고의 전계이동도 7.7cm²/Vs 확인

전산모사기반 p형 산화물반도체 소재조성 검색
- 고성능 p형 산화물반도체 소재 후보군 선별을 위한 신규 선별자 FEH(Formation Energy of Hydrogen) 발견
- 제일 원리 대량 물질 선별법 코드를 개발하여 CuLiO, La₂O₂Te등 신규 p형 산화물반도체 후보군 선별

( 출처: 요약문 9p )

Abstract ▼

Ⅳ. RESULTS
The results in this year are summarized as follows.
Pulsating laser diode with wide optical bandwidth
- Grating optimization for broadening the optical bandwidth
- Optical bandwidth: > 4nm (mode spacing= 25GHz, # of mode>20)
- Identify the need for the use of a top diffract

Ⅳ. RESULTS
The results in this year are summarized as follows.
Pulsating laser diode with wide optical bandwidth
- Grating optimization for broadening the optical bandwidth
- Optical bandwidth: > 4nm (mode spacing= 25GHz, # of mode>20)
- Identify the need for the use of a top diffraction grating for high k implementation

Narrow-linewidth laser diode
- Design of diffraction grating, active structure for narrow linewidth laser diode
- DFB implementation with 60dB SMSR and above

Develop optical comb generator driving method and integration scheme
- An integer multiplier of the pulsating LD frequency is used to drive a phase modulator to extend the bandwidth of MLLD. (Simulation)
- Packaging for stable operation of optical comb
- Hybrid integraton of devices for optical comb generation

Development of GaN-Diamond template
- Minimization of thermal stress when implementing 350㎛ class GaN-Diamond template through laser patterning of nano-diamond
- SiC interlayer is grown by CVD to remove diamond peeling phenomenon
- Maximum thermal conductivity of 10.5W/cmK in deposited diamond

GaN-Diamond device development
- Fabrication and T0-220 packaging of GaN-Diamond SBD
- Verify lOA current capacity at 3.58V on GaN-Diamond SBD
- Investigation of heat radiation characteristics through infrared camera

High-performance p-type oxide semiconductor TFT
- Fabrication of thin-film transistor using KTO oxide material based on solution process method and the world highest electric field mobility of 7.7cm²/Vs
- Find FEH(Formation Energy of Hydrogen) as a new selector for high-performance p-type oxide semiconductor material candidates
- Development of a principle selection code for large quantities of materials to select candidates for new p-type oxide semiconductors such as CuLiO and La₂O₂Te

( 출처: ABSTRACT 16p )

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 인 사 말 씀 ... 3
• 제 출 문 ... 4
• 요 약 문 ... 5
• ABSTRACT ... 11
• CONTENTS ... 19
• 목차 ... 20
• 제 1 장 연구개발의 개요 ... 21
• 제 1 절 연구개발의 목적 ... 21
• 제 2 절 개발기술의 필요성 및 중요성 ... 22
• 제 3 절 국내·외 기술동향 ... 30
• 제 4 절 연구목표 및 내용 ... 38
• 제 2 장 당해년도 추진현황 ... 44
• 제 1 절 연구개발 추진실적 ... 44
• 제 2 절 연구개발 내용 ... 46
• 제 3 절 연구개발 실적물 ... 104
• 제 4 절 사업비 사용내역 ... 106
• 제 3 장 결론 및 차년도 계획 ... 108
• 제 1 절 결 론 ... 108
• 제 2 절 차년도 연구내용 ... 110
• 부 록 ... 113
• 표목차 ... 113
• 그림목차 ... 113
• 참고문헌 ... 117
• 약어표 ... 119
• 끝페이지 ... 121